MC10ELT21D 时间：2025/8/28 16:08:32 阅读：6

MC10ELT21D是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的高性能射频（RF）混频器芯片，属于其广泛使用的MC10EL系列的一部分。该器件专为高频通信系统设计，适用于无线基础设施、微波传输、测试设备和军事通信等领域。MC10ELT21D采用先进的SiGe（硅锗）工艺制造，具有优良的线性度、低噪声和高集成度，能够在宽带频率范围内提供出色的混频性能。

参数

类型：有源混频器
　　频率范围：输入射频（RF）频率最高可达3 GHz，本振（LO）频率最高可达3 GHz，中频（IF）输出范围从DC至1 GHz
　　转换增益：典型值为8 dB（在1 GHz RF和1 GHz LO条件下）
　　噪声系数：典型值为9.5 dB
　　IIP3（输入三阶交调截距）：典型值为+15 dBm
　　电源电压：3.3V至5.0V单电源供电
　　功耗：典型电流为80 mA
　　封装形式：16引脚TSSOP（薄型小尺寸封装）
　　工作温度范围：工业级-40°C至+85°C

特性

MC10ELT21D具有多项优异的性能特点，使其在高性能通信系统中表现出色。首先，其宽频带设计允许在多个通信频段内使用，支持从几百MHz到3 GHz的RF和LO频率输入，大大提高了系统的灵活性。该混频器内部集成了LO缓冲放大器，减少了外部电路设计的复杂性，并降低了对外部驱动能力的要求。此外，该器件采用差分IF输出结构，能够有效抑制共模噪声，提高信号的完整性。
　　该芯片具备高线性度和良好的隔离度，IIP3高达+15 dBm，有助于减少多信号环境下的互调干扰，提升系统动态范围。同时，其低噪声系数（约9.5 dB）确保了接收路径的高灵敏度。MC10ELT21D还具有较低的功耗特性，典型工作电流仅为80 mA，适合用于对功耗敏感的便携式或远程设备。
　　封装方面，该芯片采用16引脚TSSOP封装，便于表面贴装和自动化生产，同时其工业级温度范围（-40°C至+85°C）确保了在各种恶劣环境下的稳定运行。

应用

MC10ELT21D广泛应用于各类高性能射频和微波通信系统中。其典型应用包括蜂窝基站接收器、点对点和点对多点无线通信系统、微波回传设备、频谱分析仪、信号发生器等测试测量仪器，以及军用通信和雷达系统。由于其宽频带特性和高线性度，该芯片也适用于软件定义无线电（SDR）和宽带接收器设计，能够支持多种调制格式和高速数据传输需求。