类型：双极型射频晶体管
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：15V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　频率范围：100MHz ~ 1GHz
　　增益（|S21|）：约15dB @ 900MHz
　　噪声系数（NF）：约1.8dB @ 900MHz
　　输入/输出阻抗：50Ω
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

MC10501BEBS具备优异的高频性能和低噪声系数，适合用于低噪声放大器（LNA）和混频器电路中。其SOT-23封装形式不仅节省空间，还具有良好的热稳定性和机械可靠性。该晶体管在UHF和VHF频段表现出色，广泛应用于无线通信、蜂窝网络、无线局域网（WLAN）和广播接收设备中。
　　该器件的高增益特性使其在低输入信号条件下仍能保持良好的放大性能。此外，MC10501BEBS的线性度较高，适用于需要低失真的应用场合，如接收器前端和发射器驱动级放大器。其良好的匹配特性也有助于简化外围电路设计，降低整体系统成本。
　　在制造工艺方面，MC10501BEBS采用了安森美半导体先进的硅双极工艺，确保了器件在高频工作下的稳定性和一致性。该晶体管还具备良好的温度稳定性，能够在较宽的温度范围内保持稳定的工作性能，适用于工业级和汽车级应用。

MC10501BEBS主要应用于无线通信设备的射频前端，包括低噪声放大器（LNA）、混频器、中频放大器等电路。其高频特性使其适用于蜂窝通信（如GSM、CDMA）、无线局域网（WLAN）、蓝牙、Zigbee、RFID、遥控器和广播接收器等应用领域。此外，该器件也可用于测试仪器和工业控制系统中的射频信号处理模块。

BFQ67、BFQ68、BFG21、BFR96S、2N5179