类型：双极型晶体管阵列
　　晶体管类型：2个NPN晶体管
　　封装类型：16引脚TSSOP
　　最大集电极-发射极电压：50V
　　最大集电极电流：100mA
　　最大功耗：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　存储温度范围：-65°C至150°C
　　工作温度范围：-40°C至85°C
　　电流增益带宽积：250MHz
　　电流增益（hFE）：典型值100至800（根据工作电流）
　　输入-输出隔离电压：50V
　　安装类型：表面贴装

MC100ELT22DR2是一款专为高频和低噪声放大设计的晶体管阵列芯片，其采用先进的硅双极工艺制造，确保了优异的电气性能和稳定性。该器件内部集成了两个独立的NPN晶体管，用户可以将其用于多级放大器、射频前端电路、逻辑电平转换或作为低噪声前置放大器使用。其高频特性使得它在射频和模拟电路设计中具有很高的应用价值，尤其是在需要高线性度和低失真的场合。MC100ELT22DR2具有低饱和电压和快速开关能力，使其在高速数字电路中表现出色。此外，该器件的封装形式为16引脚TSSOP，体积小巧，适合高密度PCB布局，并具有良好的散热性能。该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种工业环境下的应用。其低功耗特性也有助于延长电池供电设备的使用寿命。
　　MC100ELT22DR2还具有良好的热稳定性和过温保护能力，能够在高温环境下稳定工作。其内部晶体管的参数一致性较高，便于在差分放大电路中使用。此外，该器件的引脚排列设计合理，方便外围电路的连接和布线。它支持多种偏置方式，包括共射、共基和共集配置，适应不同放大电路的需求。由于其高频性能和低噪声系数，该芯片在射频信号放大、数据通信和测量仪器中表现出色。同时，其高电流增益和快速响应特性也使其在开关电路和缓冲器设计中具有优势。

MC100ELT22DR2适用于多种电子系统和电路设计，尤其在高频放大、射频前端处理、模拟信号调节、逻辑电平转换等领域应用广泛。它常用于通信设备中的低噪声放大器（LNA）、射频信号处理电路、频率合成器以及高速开关电路。在工业控制系统中，该芯片可用于信号调理、传感器接口和高速驱动电路。测试测量仪器如示波器、信号发生器和频谱分析仪也常采用MC100ELT22DR2进行信号放大和缓冲处理。此外，该器件还可用于音频放大器、数据采集系统、射频识别（RFID）系统、无线传感器网络以及便携式电子设备中的模拟和数字电路部分。

MC100ELT22DG, MC100ELT22D, MC100ELT22DR2G, MC100ELT22DRE4