时间:2025/12/5 10:19:21
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MBS4830是一款由ON Semiconductor生产的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用表面贴装SMA(DO-214AC)封装。该器件专为高效率、低功耗应用而设计,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、逆变器和极性保护等电路中。MBS4830具有较低的正向电压降和快速的反向恢复时间,这使其在高频开关应用中表现出色。其最大重复峰值反向电压(VRRM)为45V,最大平均整流电流(IO)为3.0A,适用于中等功率级别的应用场合。该二极管符合RoHS标准,并具备无卤素(Halogen Free)和绿色(Green)产品特性,适合现代环保要求的电子产品设计。MBS4830的热性能良好,能够在-65°C至+125°C的结温范围内稳定工作,适应工业级温度环境。由于其紧凑的SMA封装,MBS4830非常适合空间受限的PCB布局,同时提供了良好的散热性能和机械稳定性。
类型:肖特基二极管
封装/外壳:SMA(DO-214AC)
最大重复峰值反向电压 VRRM:45V
最大直流阻断电压 VR:45V
最大RMS电压 VRMS:32V
最大平均整流电流 IO:3.0A
峰值非重复浪涌电流 IFSM:80A(8.3ms半正弦波)
正向电压 VF:典型值0.525V,最大值0.6V(在3.0A、25°C条件下)
最大反向漏电流 IR:0.4mA(在45V、25°C下),5.0mA(在45V、125°C下)
反向恢复时间 trr:典型值<10ns
工作结温范围 TJ:-65°C 至 +125°C
存储温度范围 TSTG:-65°C 至 +150°C
热阻 RθJA:约50°C/W(典型值,依PCB布局而定)
安装类型:表面贴装(SMD)
引脚数:2
湿度敏感等级(MSL):1级(≤30°C/85%RH)
MBS4830的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,这种结构利用金属与半导体之间的势垒形成整流效应,避免了传统PN结二极管中的少数载流子注入和储存电荷问题,从而实现了极快的开关速度和几乎为零的反向恢复时间。这一特性使得MBS4830在高频DC-DC转换器、开关电源(SMPS)以及同步整流拓扑中表现优异,能够显著降低开关损耗,提升系统整体效率。其正向导通压降VF在3A电流下仅为0.6V最大值,相比普通硅二极管可减少近一半的导通损耗,这对电池供电设备或对能效有严格要求的应用至关重要。
该器件的热稳定性良好,在高温环境下仍能维持较低的漏电流水平。虽然在125°C时反向漏电流可达5mA,但在大多数应用场景中仍处于可接受范围。此外,MBS4830具备较强的浪涌电流承受能力,80A的IFSM额定值使其能够应对短暂的启动冲击或负载突变,增强了系统的可靠性。SMA封装不仅节省空间,还支持自动化贴片生产,提高了制造效率。该封装具有良好的热传导性能,配合适当的PCB铜箔面积设计,可有效将热量从PN结传导至电路板,防止过热失效。
从可靠性角度看,MBS4830通过了AEC-Q101汽车级认证,表明其具备较高的质量与耐用性,适用于严苛的工作环境。其宽泛的工作温度范围也使其可用于工业控制、通信设备和消费类电子产品等多种领域。器件无铅且符合RoHS指令,支持绿色环保制造流程。总体而言,MBS4830是一款高性能、高可靠性的肖特基二极管,特别适合需要高效能、小尺寸和高频率操作的应用场景。
MBS4830广泛应用于各类电力电子和电源管理系统中。常见用途包括开关模式电源(SMPS)中的次级整流二极管,尤其是在低压大电流输出的AC-DC适配器和DC-DC降压转换器中,其低VF特性有助于提高转换效率并减少发热。它也常用于反向极性保护电路,连接在电源输入端以防止因电池或电源接反而损坏后级电路。在太阳能充电控制器、便携式电子设备(如笔记本电脑、移动电源)、LED驱动电源和电动工具电源模块中,MBS4830都能发挥其高效整流的优势。
此外,该器件适用于逆变器电路中的续流二极管(Freewheeling Diode)或钳位二极管(Clamping Diode),用于抑制感性负载(如电机、继电器线圈)断开时产生的反向电动势,保护开关元件(如MOSFET或IGBT)。在同步整流架构中,尽管通常由MOSFET替代,但在成本敏感或设计简化的情况下,MBS4830仍可作为理想的整流元件使用。其高速响应能力也使其适用于高频整流场合,例如射频电源或高频变压器次级侧整流。
在汽车电子系统中,MBS4830可用于车身控制模块、车载充电器、LED照明电源等子系统,得益于其通过AEC-Q101认证,具备良好的抗振动和温度循环能力。工业自动化设备、PLC模块、传感器供电单元同样可以采用该器件进行电源整流和保护。总之,凡是需要低功耗、高效率、快速响应的整流功能的应用,MBS4830都是一个可靠的选择。
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