时间：2025/8/16 22:54:51
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MBRT400100 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的高电压、高频功率MOSFET晶体管。该器件采用先进的高压技术，适用于需要高效率和高性能的电源转换系统。MBRT400100 的设计旨在提供低导通损耗和高开关速度，使其成为各种工业和消费类电源应用中的理想选择。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：40A
最大漏-源电压：100V
最大栅极-源极电压：20V
导通电阻（Rds(on)）：0.035Ω @ Vgs=10V
功率耗散：200W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-247
技术：MOSFET
MBRT400100 MOSFET具有多项优异的性能特性。其高电压耐受能力（100V）使得该器件适用于广泛的电源转换应用，包括DC-DC转换器、电机驱动和电源管理系统。此外，MBRT400100 的导通电阻较低，通常在10V栅极电压下仅为0.035Ω，这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。该器件的高频操作能力也确保了在高频开关应用中的优异表现，从而减小了外部组件的尺寸和成本。
这款MOSFET采用了先进的封装技术，具备良好的热管理和散热性能，能够在高功率密度环境下稳定工作。MBRT400100 还具有较高的耐用性和可靠性，能够在极端温度条件下（-55°C至175°C）正常运行，适用于严苛的工业环境。此外，该器件的栅极驱动要求较低，能够与常见的控制器和驱动IC兼容，简化了设计和应用过程。
MBRT400100 MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于：工业电源、DC-DC转换器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）、电动车充电系统、光伏逆变器和消费类电子产品中的高效电源管理模块。由于其高效率和高可靠性的特点，该器件在需要高性能功率转换的系统中表现出色。
IRF1405, FDP40N10, STP40NF10
