时间：2025/12/27 7:12:07
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MBRS15H45CT是一款由ONSEMI（安森美）生产的肖特基势垒二极管阵列，采用中心抽头配置的双二极管结构，广泛应用于高效率、低电压输出的开关电源整流电路中。该器件封装于TO-277（DPAK）表面贴装功率封装，具有较小的占板面积和良好的热性能，适用于需要紧凑设计和高效能转换的现代电子设备。MBRS15H45CT的额定平均正向整流电流为15A，反向重复峰值电压为45V，属于低压、大电流肖特基二极管，特别适合用于DC-DC转换器、同步整流替代方案以及负载点（POL）电源模块中。
由于其较低的正向导通压降（VF），通常在典型工作条件下仅为0.52V左右（IF=7.5A时），这显著降低了导通损耗，提高了整体电源效率。此外，该器件无反向恢复时间（trr ≈ 0），因此在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关噪声和电磁干扰（EMI）。MBRS15H45CT还具备优良的热稳定性与可靠性，符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级认证，可用于汽车电子系统如车载充电器、DC-DC变换器等对可靠性和环境耐受性要求较高的场景。
产品类型：肖特基二极管阵列
配置：双二极管共阴极（中心抽头）
最大重复反向电压（VRRM）：45V
平均正向整流电流（IF(AV)）：15A（Tc=100°C）
峰值正向浪涌电流（IFSM）：60A（单半波，60Hz）
最大正向电压（VF）：0.52V @ IF=7.5A, TJ=25°C
最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ VR=45V, TJ=25°C；10mA @ VR=45V, TJ=125°C
反向恢复时间（trr）：典型值0ns（无反向恢复电荷）
结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
封装形式：TO-277（DPAK）
安装方式：表面贴装（SMD）
散热路径：通过D-Pad接地散热
MBRS15H45CT的核心优势在于其高性能的肖特基势垒结构，这种结构利用金属-半导体结而非传统的PN结，从而实现极低的正向导通压降和近乎零的反向恢复时间。这一特性使其在高频开关电源中成为理想选择，尤其是在工作频率超过100kHz的应用中，传统快恢复二极管因较大的反向恢复电荷会导致严重的开关损耗和温升，而MBRS15H45CT则几乎不会产生此类问题。其双二极管共阴极配置非常适合用于全波整流拓扑，例如在同步Buck或Boost转换器的次级侧进行整流，或者作为LLC谐振变换器中的输出整流元件。
该器件的TO-277封装不仅节省空间，而且集成了底部D-Pad设计，可通过PCB上的热焊盘将热量高效传导至散热层，显著提升热管理能力。即使在高负载持续运行条件下，也能保持较低的结温上升，确保长期稳定运行。此外，该封装支持自动化贴片工艺，便于大规模生产，降低制造成本。
MBRS15H45CT的工作结温可达+150°C，具备出色的高温工作能力，在恶劣环境下仍能维持可靠性能。其反向漏电流虽随温度升高而增加，但在合理设计散热路径的前提下，可在工业级和汽车级环境中稳定使用。得益于安森美的严格制造工艺控制，每批次产品都具有高度一致的电气参数，减少了系统设计中的安全裕量需求，有助于优化整体效率与体积。
值得一提的是，该器件通过AEC-Q101认证，意味着其在温度循环、高温反偏、机械冲击等多项应力测试中表现优异，满足汽车行业对元器件可靠性的严苛要求。因此，除了通信电源、服务器电源、工业电源外，它也被广泛应用于新能源汽车的车载充电机（OBC）、DC-DC转换模块以及电池管理系统（BMS）中的辅助电源部分。
MBRS15H45CT主要应用于需要高效率、大电流、低电压整流的开关电源系统中。典型应用场景包括但不限于：通信电源中的隔离式DC-DC转换器次级整流，特别是在3.3V、5V或12V低输出电压系统中，其低VF特性可显著提升效率；服务器和数据中心电源模块中的同步整流替代方案，用于替代MOSFET以简化驱动设计并降低成本；便携式工业设备和嵌入式系统的板载电源（POL）设计，其中空间紧凑且对热性能有较高要求。
在汽车电子领域，该器件被广泛用于车载充电器（OBC）、DC-DC降压变换器（如12V转5V/3.3V）以及电动助力转向（EPS）、ADAS传感器供电单元等关键子系统。由于其通过AEC-Q101认证，能够在-40°C至+125°C的环境温度范围内长期稳定运行，适应车辆在极端气候条件下的使用需求。
此外，MBRS15H45CT也适用于太阳能微逆变器、LED驱动电源、UPS不间断电源以及消费类电子产品中的多路输出电源设计。其表面贴装封装适合回流焊工艺，便于实现自动化生产和小型化设计，是现代高密度电源解决方案中的优选整流器件。
MBR15H45CT
