时间：2025/10/27 11:28:23
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MBRS1060CT是一款由ONSEMI（安森美）生产的双肖特基势垒整流二极管，专为高效率、低电压输出的开关模式电源应用而设计。该器件采用中心抽头配置的双二极管结构，特别适用于低压直流-直流转换器、同步整流拓扑以及反激式或正激式电源中。由于其采用了先进的肖特基势垒技术，MBRS1060CT具备较低的正向导通压降（VF），从而显著降低了导通损耗，提高了系统整体能效。该器件的最大平均整流电流可达10A，峰值重复反向电压为60V，适用于工作在中等电压范围内的电源系统。MBRS1060CT封装于紧凑的TO-277（D-Pak）表面贴装封装中，具有良好的热性能和机械稳定性，适合自动化贴片生产流程。其低寄生电感和优化的内部引线设计有助于减少开关过程中的电压尖峰和电磁干扰，提升系统的可靠性。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-Free）特性，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。MBRS1060CT广泛应用于服务器电源、电信设备、工业控制电源、便携式设备充电器以及分布式电源系统等领域，尤其适合对空间布局和散热管理有较高要求的设计场景。
类型：双肖特基整流二极管
配置：中心抽头（Common Cathode）
最大重复反向电压（VRRM）：60V
最大直流阻断电压（VR）：60V
平均整流电流（IO）：10A（每芯片）
峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A（单个半正弦波，8.3ms）
最大正向电压（VF）：0.54V @ 5A, 0.62V @ 10A（Tc=25°C）
最大反向漏电流（IR）：1.0mA @ 60V（Tc=25°C），10mA @ 60V（Tc=125°C）
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
热阻结至外壳（RθJC）：2.0°C/W
封装形式：TO-277（D-Pak）表面贴装
MBRS1060CT的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术所带来的低正向压降与快速开关响应能力。这种结构避免了传统PN结二极管中存在的少数载流子存储效应，因此在高频开关应用中表现出极短的反向恢复时间（trr可忽略不计），有效减少了开关损耗并抑制了因反向恢复引起的电磁噪声。这对于工作频率高达数百kHz甚至MHz级别的DC-DC变换器尤为重要。该器件的双二极管共阴极配置使其非常适合用于全波整流电路或同步整流拓扑中的副边整流环节，例如在LLC谐振转换器或有源钳位反激拓扑中作为次级侧整流元件使用。其10A的持续整流电流能力结合60V的反向耐压，使它能在12V、24V等常见工业和通信电源系统中稳定运行。
此外，MBRS1060CT的TO-277封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还具备优异的散热性能。通过将器件直接焊接在带有散热焊盘的PCB上，可以实现高效的热量传导，降低热阻，从而提升功率密度和长期可靠性。该封装支持回流焊工艺，兼容自动化SMT生产线，提升了制造效率和产品一致性。器件还具备良好的抗热冲击能力和机械强度，能够在严苛的工作环境中保持稳定性能。所有电气参数均经过严格测试，并在宽温度范围内进行了补偿优化，确保在低温启动和高温满载工况下仍能维持高效工作。其低漏电流特性在高温环境下依然表现良好，避免了因漏电增加而导致的热失控风险。综合来看，MBRS1060CT是一款兼顾高性能、高可靠性和环保要求的理想选择，适用于追求小型化、高能效和长寿命的现代电源设计。
MBRS1060CT主要应用于需要高效、低压大电流整流的开关电源系统中。典型应用场景包括服务器和数据中心的多相VRM（电压调节模块）副边整流、电信基站电源、工业自动化设备的嵌入式电源模块、笔记本电脑适配器、USB-C PD充电器以及各类DC-DC转换器（如Buck、Boost、Flyback和Forward拓扑）。由于其低正向压降和快速响应特性，特别适合用作同步整流替代方案中的被动整流元件，或在无法使用主动同步整流MOSFET时提供高效的能量传递路径。此外，在太阳能微逆变器、LED驱动电源和汽车电子中的辅助电源单元中也有广泛应用。其表面贴装封装使其成为高密度PCB布局的理想选择，尤其适合追求轻薄化和高集成度的产品设计。
MBR1060CTG
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SD1060CT
SB1060CT
