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MBRP60035CTL 发布时间 时间:2025/9/4 2:21:39 查看 阅读:16

MBRP60035CTL是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的600V、35A肖特基势垒整流器(Schottky Barrier Rectifier),专为高效率、高频率的电源转换系统设计。该器件采用TO-220封装形式,具有低正向压降和快速开关特性,适合用于各类开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路、逆变器以及整流电路中。MBRP60035CTL的肖特基结构有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。

参数

类型:肖特基二极管
  最大重复峰值反向电压:600V
  最大平均整流电流:35A
  正向电压(@35A):约0.53V
  反向漏电流(@600V):典型值为50μA
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-220

特性

MBRP60035CTL的核心特性在于其优异的电性能和高可靠性。首先,其600V的高耐压能力使其适用于多种高电压应用场合,同时35A的额定电流确保了在大功率系统中稳定运行。由于采用了肖特基势垒结构,该器件具有非常低的正向压降(通常在0.53V左右),这显著降低了导通损耗,从而提高了电源转换效率。
  此外,MBRP60035CTL具备快速的反向恢复时间(trr),几乎可以忽略不计,这对于高频开关电源和功率因数校正电路尤为重要。它能在高频率下保持良好的效率,减少电磁干扰(EMI)并提高系统稳定性。
  该器件采用TO-220封装,具备良好的散热性能,能够有效将热量传导至散热片或PCB上,确保在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。这种封装形式也便于安装和散热管理,广泛应用于工业电源、通信电源、UPS系统以及太阳能逆变器等设备中。
  MBRP60035CTL还具有出色的抗浪涌能力,能够在短时间内承受超过额定值的电流冲击,增强了器件在恶劣环境下的可靠性。此外,其反向漏电流在额定电压下保持在极低水平(典型值50μA),进一步减少了静态功耗,提高了整体系统的能效。

应用

MBRP60035CTL广泛应用于各类中高功率电源系统中,特别是在需要高效、高频整流的场合。典型应用包括开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路、DC-DC转换器、逆变器、整流桥电路以及不间断电源(UPS)等。由于其低正向压降和快速响应特性,它也常用于高效率的电源适配器、LED照明驱动器和工业控制电源中。
  在通信电源系统中,MBRP60035CTL能够有效提高整流效率,减少热量产生,延长系统寿命。在太阳能逆变器中,它可用于直流侧的整流和保护,确保系统在高日照条件下稳定运行。此外,该器件也适用于电动汽车充电设备、电机驱动器和工业自动化设备中的电源模块。

替代型号

MBRP60040CTL, MBRB60035CTG, MBRS60035CTL

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MBRP60035CTL参数

  • 制造商ON Semiconductor
  • 产品种类肖特基(二极管与整流器)
  • 产品Schottky Diodes
  • 峰值反向电压35 V
  • 正向连续电流600 A
  • 最大浪涌电流4000 A
  • 配置Dual Common Cathode
  • 正向电压下降0.57 V at 300 A
  • 最大反向漏泄电流3000 uA
  • 工作温度范围- 55 C to + 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体POWERTAP II
  • 封装Tray