MBRF30L45CT是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双极型NPN晶体管阵列。该器件集成了两个独立的NPN晶体管在一个封装中,适用于需要多个晶体管的电路设计,尤其是在空间受限的应用中。MBRF30L45CT采用节省空间的表面贴装封装,具有良好的热性能和可靠性。
晶体管类型:NPN 双极型晶体管(双管阵列)
集电极-发射极电压(Vce):45V
集电极电流(Ic):300mA
功率耗散(Pd):300mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOT-23-6
MBRF30L45CT晶体管的主要特性之一是其集成双晶体管设计,这使得它在需要多个晶体管的电路中非常有用,例如放大电路、开关电路或逻辑门电路。该器件的每个晶体管都具有相同的电气参数,确保了在并行操作或对称电路设计中的性能一致性。
其额定集电极-发射极电压为45V,适合中高压应用,而最大集电极电流为300mA,适用于中等功率的开关和放大任务。MBRF30L45CT的功率耗散为300mW,在紧凑型设计中能够有效散热,从而保证器件的稳定性和寿命。
此外,该器件的工作温度范围广泛,从-55°C到+150°C,适合在各种环境条件下使用,包括工业级和汽车电子应用。SOT-23-6封装不仅节省空间,还支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和高密度电路布局。
MBRF30L45CT还具有良好的电气隔离特性,两个晶体管之间具有较低的交叉干扰,确保了电路的稳定性和可靠性。这使得它在射频(RF)放大器、传感器接口、电源管理模块以及嵌入式系统中具有广泛的应用前景。
MBRF30L45CT广泛应用于需要多晶体管设计的电子设备中,例如音频放大器、逻辑电平转换器、马达驱动电路、继电器驱动电路以及信号处理模块。它在工业控制、消费电子产品、汽车电子和通信设备中都有出色的表现。该器件的高可靠性和紧凑封装也使其成为便携式设备和高密度PCB设计的理想选择。
MBRF30H45CT, MMBT3904LT1G, 2N3904