MBRF20U200 时间：2025/9/11 18:51:29 阅读：16

MBRF20U200是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极性功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率、高频率应用而设计。该器件采用先进的Trench沟槽技术，提供较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于DC-DC转换器、电源管理、电机控制、负载开关等高效率应用领域。

参数

类型：功率MOSFET（N沟道）
　　最大漏源电压（Vds）：200V
　　最大漏极电流（Id）：20A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.13Ω（在Vgs=10V）
　　栅极电荷（Qg）：约40nC
　　最大功率耗散（Pd）：约160W
　　封装形式：TO-220AB、D2PAK（表面贴装）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C

特性

MBRF20U200采用了先进的Trench沟槽技术，具备较低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　其高耐压能力（200V）使其适用于多种中高功率应用场景，如电源转换器、负载开关和电机控制电路等。
　　该器件的快速开关特性有助于降低开关损耗，提升整体系统的响应速度和能效。
　　此外，MBRF20U200具有良好的热稳定性和较高的可靠性，能够在高温环境下稳定运行。
　　它还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度并减少驱动损耗。
　　该MOSFET支持较高的工作温度范围（-55°C至+175°C），适用于工业级和汽车级应用环境。
　　封装形式包括TO-220AB和D2PAK，便于散热和在不同PCB布局中的安装。

应用

MBRF20U200广泛应用于各种高功率和高效率需求的电子系统中。在DC-DC转换器中，它可用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，实现高效的能量转换。
　　在电源管理系统中，该MOSFET可作为负载开关或电源分配开关，提供快速的通断控制。
　　在电机控制领域，MBRF20U200适用于H桥电路中的开关元件，实现对电机方向和速度的精确控制。
　　此外，该器件还可用于逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动车电控系统等场合。
　　由于其优异的导通和开关性能，MBRF20U200在要求高效率和高可靠性的应用中表现出色。