时间：2025/12/26 21:56:11
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MBRF20100CTP是一款由ON Semiconductor生产的双肖特基势垒整流器，专为高效率、高频率的电源转换应用而设计。该器件采用中心抽头配置的双二极管结构，非常适合用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器和逆变器等电路中作为输出整流元件。其低正向压降和快速恢复特性显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提高了整体系统效率。MBRF20100CTP封装在紧凑的TO-277（DPAK）表面贴装封装中，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于自动化装配流程。该器件无需进行雪崩额定测试，因其工作原理基于肖特基势垒而非PN结，因此不具备传统二极管的反向恢复电荷问题，能够有效减少电磁干扰（EMI）并提升高频下的可靠性。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素版本选项，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。由于其优异的电气和热性能，MBRF20100CTP广泛应用于通信电源、服务器电源、工业控制系统以及消费类电子设备中的高效电源模块。
该器件的最大重复峰值反向电压为100V，平均整流正向电流可达20A，能够在高温环境下稳定运行，结温范围从-65°C到+175°C，表现出出色的热稳定性。其低漏电流特性在高温条件下依然保持良好，确保了系统的长期可靠性和能效表现。
型号：MBRF20100CTP
制造商：ON Semiconductor
封装类型：TO-277 (DPAK)
二极管配置：双二极管中心抽头
最大重复峰值反向电压 (VRRM)：100V
最大直流阻断电压 (VR)：100V
平均整流正向电流 (IF(AV))：20A
峰值正向浪涌电流 (IFSM)：80A
最大正向压降 (VF)：0.83V @ 10A, 125°C
最大反向漏电流 (IR)：1.0mA @ 125°C
工作结温范围 (TJ)：-65°C 至 +175°C
存储温度范围 (TSTG)：-65°C 至 +175°C
热阻抗 (RθJC)：1.2°C/W
安装方式：表面贴装
MBRF20100CTP的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种技术利用金属-半导体接触形成整流效应，避免了传统PN结二极管中存在的少数载流子存储效应，因而实现了几乎为零的反向恢复时间（trr）。这一特性使其在高频开关应用中表现出色，尤其是在硬开关拓扑如正激、反激和LLC谐振转换器中，能显著降低开关损耗和电压尖峰，提高电源的整体转换效率。由于没有反向恢复电荷（Qrr），该器件在关断过程中不会产生明显的反向恢复电流，从而减少了电磁干扰（EMI）的生成，有助于简化滤波电路设计并满足严格的EMI合规要求。此外，其低正向压降（典型值0.83V@10A,125°C）进一步降低了导通损耗，对于大电流输出的应用场景尤为重要，例如在低电压大电流的DC-DC转换器中可有效减少发热，提升功率密度。
该器件的TO-277封装不仅体积小巧，适合高密度PCB布局，而且具备优良的散热能力，通过底部裸露焊盘可将热量高效传导至PCB上的散热铜箔或内部地层，实现有效的热管理。这种表面贴装封装支持回流焊工艺，便于大规模自动化生产，同时提升了组装的一致性和可靠性。MBRF20100CTP的工作结温高达+175°C，使其能够在高温工业环境或密闭空间内长期稳定运行，增强了系统的鲁棒性。其宽泛的温度工作范围也适用于极端气候条件下的户外设备或车载电源系统。另外，该器件具有较低的反向漏电流，在高温下仍能保持较好的阻断能力，防止因漏电导致的能量浪费或误触发问题。综合来看，MBRF20100CTP以其高频响应快、效率高、热性能优和可靠性强等特点，成为现代高效电源设计中的理想选择之一。
MBRF20100CTP主要应用于需要高效率整流的开关电源系统中，常见于通信电源、服务器电源模块、网络设备供电单元以及工业级DC-DC转换器中。由于其低正向压降和无反向恢复特性，特别适合用作同步整流替代方案难以实施时的高性能输出整流器，例如在低成本或中等功率的隔离型电源拓扑中作为次级侧整流元件。它也被广泛用于电池充电器、LED驱动电源和UPS不间断电源系统中，以提升整体能效并降低温升。此外，在太阳能微逆变器、电动工具电源适配器以及消费类电子产品如笔记本电脑电源中也有广泛应用。其表面贴装封装形式使其适用于紧凑型电源设计，尤其适合对空间和散热有严格要求的场合。
MBR20100CTF, MBRB20100CT, STPS20H100CT
