MBRF10H150CT是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双极性功率整流器,专为高电流、高效率的应用设计。这款器件采用了先进的肖特基势垒整流器技术,具有低正向压降和快速开关性能的特点。它广泛用于电源转换系统、工业设备和消费类电子产品中。
最大重复峰值反向电压(VRRM):150V
最大平均整流电流(IF(AV)):10A
峰值正向电流(IFSM):200A
正向压降(VF):0.45V @ 10A
漏电流(IR):0.1mA @ 150V
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
MBRF10H150CT的特性包括其高电流能力,能够支持高达10A的连续平均整流电流,这使其适用于高功率需求的电路设计。此外,其低正向压降特性(典型值为0.45V)显著降低了导通损耗,从而提高了系统的整体效率。该器件的快速恢复时间(几乎为零)和低漏电流特性进一步优化了其在高频开关应用中的表现。
MBRF10H150CT采用TO-220AB封装形式,这种封装提供了良好的热管理和机械稳定性,确保了在高功率密度应用中的可靠性。此外,该器件的工作温度范围非常宽泛(-55°C至+175°C),使其能够在极端环境条件下正常运行。该器件还符合RoHS标准,无铅环保。
MBRF10H150CT广泛应用于各种电源管理系统,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、不间断电源(UPS)、逆变器以及电机控制电路。由于其高效率和快速开关特性,它特别适合于需要高频率操作和低损耗的应用场景。此外,该器件也常用于工业自动化设备、通信电源系统以及消费类电子产品中的电源模块设计。其优异的热性能使其能够在高功率密度的设计中稳定运行,满足现代电子设备对小型化和高效能的双重要求。
MBRF10H150CT的替代型号包括MBRF10H150CG、MBR10H150CTG以及MBRF10H150CTG。这些型号在电气特性和封装形式上与MBRF10H150CT高度相似,可以作为直接替代品使用。