时间:2025/12/28 8:55:38
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MBRF10150CTL是一款由ON Semiconductor生产的肖特基势垒二极管,专为高效率、高频率的电源转换应用设计。该器件采用表面贴装T3PAK封装,具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点,非常适合用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器以及逆变器等对能效要求较高的场合。MBRF10150CTL内部集成了两个共阴极连接的肖特基二极管,这种配置使其特别适用于中心抽头整流拓扑结构中,如全波整流电路。由于其优异的热性能和电流处理能力,这款二极管能够在高温环境下稳定工作,同时减少对外部散热装置的需求,有助于缩小整体系统体积并提高功率密度。此外,该器件符合RoHS标准,并具备良好的抗浪涌电流能力和可靠性,适合工业、通信及消费类电子设备中的广泛应用场景。
产品类型:肖特基二极管
配置:双共阴极
最大重复反向电压(VRRM):150V
最大平均整流电流(IO):10A
峰值正向浪涌电流(IFSM):200A
最大正向电压降(VF):975mV @ 10A, 150°C
最大反向漏电流(IR):1.0mA @ 150°C
工作结温范围(TJ):-65°C 至 +175°C
封装/外壳:T3PAK Surface Mount
MBRF10150CTL的核心优势之一是其出色的低正向导通压降特性,这在大电流应用中至关重要。当通过10A电流且结温处于150°C时,其典型正向电压仅为约975mV,显著低于传统快恢复二极管甚至部分同类肖特基器件。这一特性直接降低了导通损耗,提升了系统的整体能效。特别是在DC-DC降压变换器或服务器电源等持续高负载运行的应用中,更低的VF意味着更少的能量以热量形式耗散,从而减少了对复杂散热系统的需求,并提高了长期运行的稳定性与安全性。
另一个关键特性是其优异的热管理能力。得益于T3PAK表面贴装封装技术,MBRF10150CTL实现了高效的散热路径,即使在高功率密度设计中也能维持较低的热阻。该封装支持PCB上的大面积铜箔布局以增强散热效果,使得器件可以在不使用额外散热片的情况下承受较高的连续电流。同时,高达+175°C的最大结温允许其在严苛的高温环境中可靠运行,例如靠近变压器或其他发热元件的位置,增强了系统设计的灵活性。
器件的双共阴极内部结构优化了全波整流电路的设计,减少了外部元件数量和布线复杂度。这种集成方式不仅节省了PCB空间,还降低了寄生电感和电阻的影响,有助于提升高频下的电气性能。此外,作为肖特基二极管,它不具备少数载流子存储效应,因此没有反向恢复电荷(Qrr),也就不会产生反向恢复电流尖峰,避免了由此引发的电磁干扰(EMI)问题和开关节点振铃现象,这对高频开关电源尤为重要。
MBRF10150CTL还具备较强的抗浪涌能力,可承受高达200A的峰值非重复浪涌电流,确保在电源启动或负载突变等瞬态条件下仍能安全工作。其低漏电流表现(典型值1.0mA @ 150°C)进一步减少了待机或轻载状态下的静态功耗。综合来看,这些特性使MBRF10150CTL成为追求高效率、高可靠性和紧凑设计电源系统的理想选择。
MBRF10150CTL广泛应用于各类需要高效整流和低损耗功率转换的电子系统中。最常见的应用场景包括开关模式电源(SMPS),尤其是在中高功率等级的AC-DC和DC-DC转换器中作为输出整流二极管使用。由于其150V的反向耐压和10A的额定电流能力,非常适合用于48V转12V或12V转5V/3.3V的同步降压转换器次级侧整流,尤其在数据中心服务器电源、电信设备电源模块中表现出色。此外,在带中心抽头变压器的全波整流电路中,MBRF10150CTL的双共阴极结构能够简化电路设计,减少元件数量,提高装配效率。
在便携式和移动设备充电器、笔记本适配器以及LED驱动电源中,该器件也常被采用,以满足小型化和高能效的设计目标。其表面贴装T3PAK封装便于自动化生产,适合大规模SMT工艺,同时具备良好的热传导性能,有助于实现无风扇或被动散热设计。
工业控制领域也是其重要应用方向,例如PLC电源模块、电机驱动器辅助电源、UPS不间断电源等,在这些环境中通常面临较宽的工作温度范围和较高的电磁兼容性要求,而MBRF10150CTL的低噪声特性和高温稳定性正好满足这些需求。此外,在太阳能微逆变器、电池管理系统(BMS)以及其他可再生能源相关电源拓扑中,该器件也可用于防反接或能量回馈路径,提供可靠的单向导通功能。
STPS10150CT
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