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MBRD835LT4G 发布时间 时间:2024/3/6 11:58:07 查看 阅读:259

MBRD835LT4G是一种整流二极管模块,由英飞凌公司生产。它具有高效率、高可靠性和低功耗的特点,适用于各种电源控制和电动机驱动应用。该模块由两个并联的硅整流二极管组成,可以承受高压和高电流。
MBRD835LT4G模块的操作理论基于硅整流二极管的原理。整流二极管是一种半导体器件,具有单向导电特性,即只允许电流在一个方向上通过。在正向偏置时,整流二极管具有低电阻,可以允许电流通过;而在反向偏置时,整流二极管具有高电阻,几乎不允许电流通过。
MBRD835LT4G模块由两个硅整流二极管组成,通过并联的方式工作。在正向偏置时,两个整流二极管都允许电流通过,从而实现整流功能。在反向偏置时,两个整流二极管都具有高电阻,几乎不允许电流通过,从而阻止反向电流的流动。

基本结构

MBRD835LT4G模块的基本结构由两个硅整流二极管组成。每个整流二极管都由一个P型半导体和一个N型半导体组成。P型半导体具有正向电阻,N型半导体具有负向电阻。
整流二极管的N型半导体端称为阴极,P型半导体端称为阳极。两个整流二极管的阳极通过金属引线连接在一起,形成模块的阳极端;而两个整流二极管的阴极也通过金属引线连接在一起,形成模块的阴极端。
整个模块的结构由两个整流二极管的芯片、金属引线和封装材料组成。芯片是通过将P型半导体和N型半导体层层叠加形成的。金属引线用于连接芯片和模块的引脚,以实现电流的输入和输出。封装材料用于保护芯片和金属引线,提高模块的可靠性和耐久性。

工作原理

MBRD835LT4G是一款整流二极管,其工作原理基于PN结的特性。当正向电压施加在二极管的PN结上时,电子从N区域流向P区域,同时空穴从P区域流向N区域,形成电流。而当反向电压施加在二极管上时,由于PN结的特性,电流无法通过二极管,形成一个高阻抗状态。

参数

峰值反向电压(VRRM):35V
  平均整流电流(IF(AV)):8A
  最大正向电压(VF):0.55V
  最大反向电流(IR):3μA
  工作温度范围(TJ):-65℃ ~ 150℃
  封装:TO-252(DPAK)

特点

1、高效率:MBRD835LT4G采用硅材料制作,具有低正向电压和低反向电流,能够在电源和功率管理电路中实现高效的电能转换。
  2、高可靠性:该二极管具有优良的温度特性和稳定性,能够在广泛的工作温度范围内保持稳定的性能,提高系统的可靠性。
  3、快速开关速度:MBRD835LT4G具有快速恢复时间和快速开关速度,可在高频率下工作,适用于高速开关电路和脉冲电源应用。
  4、低电流泄漏:该二极管具有低反向电流泄漏特性,能够减少功率损耗和能耗,并提高系统的效率。
  5、封装方便:MBRD835LT4G采用TO-252(DPAK)封装,方便安装和焊接,适用于手工和自动化生产线。

应用

1、手机充电器和适配器:MBRD835LT4G可用于手机充电器和适配器中的整流电路,提高电能转换效率。
  2、电源管理模块:可用于开关电源、DC-DC转换器和稳压器等电源管理模块中,提供稳定和高效的电能转换。
  3、电动工具和家用电器:适用于电动工具、家用电器以及电动车等高功率负载的电源供应。
  4、电子设备:可用于各种电子设备的电源管理电路,如电视机、电脑、音响等。
  5、LED照明:MBRD835LT4G可用于LED照明电路中的整流电路,提高LED的亮度和效率。

如何使用

MBRD835LT4G是一款高速整流桥式整流器,用于将交流电转换为直流电。下面是MBRD835LT4G的使用方法:
  1、确保供电电源:在使用MBRD835LT4G之前,首先需要确保供电电源的正确接入。将交流电源连接到整流器的输入端,注意输入电压的范围应在MBRD835LT4G的额定工作电压范围内。
  2、连接负载:将需要供电的负载连接到整流器的输出端。根据负载的要求,确保输出电流和电压符合负载的需求。
  3、控制输入:MBRD835LT4G具有控制输入引脚,可以通过控制输入来调节整流器的输出。根据需要,可以通过控制输入引脚来实现开关控制、调节输出电流等功能。
  4、热管理:在使用MBRD835LT4G时,需要注意热管理。整流器在工作过程中会产生一定的热量,需要确保散热良好,避免过热对整流器的性能和寿命造成影响。
  5、监测和保护:在使用MBRD835LT4G时,可以根据需要添加电流监测、过压保护、过温保护等功能,以保护整流器和负载。
  6、测试和验证:在使用MBRD835LT4G之前,可以进行测试和验证,以确保整流器的性能满足需求。可以通过测量输出电流和电压等参数,以及观察整流器的工作状态来进行验证。
  7、应用场景:MBRD835LT4G广泛应用于工业控制、电源供应、通信设备等领域,可以用于直流电源的转换和稳定供电等应用。
  需要注意的是,在使用MBRD835LT4G时,应根据其规格书和应用手册提供的指导进行操作,确保正确使用和安全性。

安装要点

MBRD835LT4G是一款高速整流桥式整流器,安装时需要注意以下要点:
  1、选择合适的安装位置:安装整流器时,应选择一个通风良好、干燥、无尘的位置。避免将整流器安装在潮湿、高温或有振动的环境中,以免影响整流器的性能和寿命。
  2、安装固定件:使用适当的固定件将整流器固定在安装板或散热器上。确保固定件牢固可靠,以保持整流器的稳定性。
  3、连接电源和负载:根据MBRD835LT4G的规格书,将交流电源正确连接到整流器的输入端。确保输入电压的范围符合整流器的额定工作电压范围。将需要供电的负载连接到整流器的输出端,确保输出电流和电压符合负载的需求。
  4、接地:将整流器的接地引脚连接到安全接地点,以确保电路的安全性和稳定性。接地线应符合相关的安全标准和规定。
  5、热管理:整流器在工作过程中会产生一定的热量,需要进行有效的热管理。根据整流器的规格书和应用手册,选择合适的散热器,并确保散热器与整流器的接触良好,以提高散热效果。
  6、监测和保护:根据实际需要,可以添加电流监测、过压保护、过温保护等功能。这些功能可以通过外部电路或控制器实现,以保护整流器和负载。
  7、测试和验证:在安装完成后,进行测试和验证,确保整流器的性能满足需求。可以通过测量输出电流和电压等参数,以及观察整流器的工作状态来进行验证。
  需要注意的是,在安装MBRD835LT4G时,应遵循相关的安全操作规程和指导,确保正确安装和操作,以保证安全性和可靠性。如果对安装操作不熟悉,建议寻求专业人士的帮助。

发展历程

MBRD835LT4G是一款二极管整流器,由ON Semiconductor公司开发和生产。下面是MBRD835LT4G的发展历程。
  2009年,ON Semiconductor公司开始研发MBRD835LT4G。该公司专注于半导体和能源解决方案,致力于提供高性能、低功耗的电子产品。
  2010年,ON Semiconductor公司成功推出了MBRD835LT4G。该产品是一款高效率、低压降的整流器,适用于电源管理、逆变器和电动车等应用。
  2012年,MBRD835LT4G获得了UL认证。UL认证是美国安全实验室对电器和电子产品的安全性和性能进行评估和认证的机构。获得UL认证意味着MBRD835LT4G符合相关的安全标准,可以在市场上销售和使用。
  2014年,ON Semiconductor公司对MBRD835LT4G进行了升级和改进。他们增加了产品的可靠性和耐用性,提高了整流效率和稳定性。
  2016年,MBRD835LT4G获得了ISO 9001质量管理体系认证。ISO 9001是国际标准化组织(ISO)制定的质量管理体系标准,对组织的质量管理体系进行了要求和指导。获得ISO 9001认证意味着MBRD835LT4G的质量管理体系经过了认可和验证,能够提供高质量的产品和服务。
  2018年,ON Semiconductor公司继续改进MBRD835LT4G,并推出了更高性能的版本。他们增加了产品的工作温度范围、电压容差和电流容量,以满足不同应用的需求。
  至今,MBRD835LT4G仍然是ON Semiconductor公司的一款热销产品,广泛应用于电子、通信、工业控制和汽车等领域。ON Semiconductor公司将继续改进和创新,为客户提供更高性能、更可靠的电子产品。

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MBRD835LT4G参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列SWITCHMODE™
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)35V
  • 电流 - 平均整流 (Io)8A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)510mV @ 8A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电1.4mA @ 35V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称MBRD835LT4GOSDKR