MBRD30150CT 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的肖特基二极管。该器件采用 TO-263 封装形式,具有低正向电压降和快速恢复时间的特点,适用于高频整流、续流保护以及开关电源等应用领域。MBRD30150CT 的最大整流电流为 30A,最高反向工作电压为 150V。
最大整流电流:30A
最高反向工作电压:150V
峰值反向电压:150V
正向电压(IF=15A):0.72V
反向漏电流(VR=150V, TJ=25°C):4mA
功耗:235W
工作结温范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-263
MBRD30150CT 使用肖特基势垒技术制造,具备较低的正向压降,可有效减少功率损耗并提高效率。其快速恢复性能使其非常适合高频电路环境。
此外,该器件能够承受较高的电流负载,同时保持稳定的电气特性。由于采用了 TO-263 封装,它具有良好的散热性能,适合在高功率密度设计中使用。
MBRD30150CT 还支持宽泛的工作温度范围,从 -55°C 到 +175°C,确保在恶劣环境下依然可靠运行。
MBRD30150CT 广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下场景:
- 开关电源 (SMPS) 中的整流与续流保护
- 电动机驱动中的自由轮保护
- 太阳能逆变器及 DC-DC 转换器
- 通信电源系统
- 工业自动化控制设备
其低损耗和高可靠性特点使得该二极管成为众多高效率要求应用的理想选择。
MBR30150CT
STPS30150
SS30150D