时间：2025/9/12 12:36:18
阅读：17
MBRD10U200CT-RTF/H 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极性肖特基势垒整流器（Schottky Barrier Rectifier），适用于高频率开关电源应用。该器件具有低正向压降、快速恢复时间和高可靠性，常用于电源转换器、不间断电源（UPS）、DC/DC转换器等电源管理系统。
最大重复峰值反向电压（VRRM）：200 V
最大正向电流（IF(AV)）：10 A
正向压降（VF）：0.35 V @ IF=5A
反向漏电流（IR）：0.1 mA @ VR=200V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220AB
安装类型：通孔（Through Hole）
MBRD10U200CT-RTF/H 的核心优势在于其采用了肖特基二极管结构，使其具备较低的正向压降（VF），从而减少导通损耗，提高电源转换效率。该器件的快速恢复时间（trr）非常短，通常在纳秒级别，适用于高频开关应用，能够有效降低开关损耗。
此外，该器件采用双极性结构（即双二极管共阴极或共阳极配置），在一个封装中集成两个肖特基二极管，节省PCB空间并提高系统集成度。MBRD10U200CT-RTF/H 的封装采用TO-220AB标准封装，具有良好的散热性能和机械强度，适用于各种工业级电源应用。
其高浪涌电流承受能力使其在面对突发电流冲击时仍能保持稳定运行，增强了系统的可靠性和寿命。该器件还符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品的设计要求。
MBRD10U200CT-RTF/H 广泛应用于各种电源系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC/DC转换器、AC/DC适配器、不间断电源（UPS）、电池充电器、光伏逆变器、电机驱动系统、电源管理系统（PMS）以及工业控制设备中的整流电路。
由于其高效率和低功耗特性，该器件特别适合用于高频率、高效率要求的电源拓扑结构，如同步整流、Buck/Boost转换器和反激式变换器等。此外，它也常用于需要快速恢复特性的电路中，如高频变压器整流、功率因数校正（PFC）电路等。
在新能源领域，该器件也广泛用于太阳能逆变器和电动车充电系统中，作为高效整流元件使用。
[
"MBRD10U200CT",
"MBRD10U200CG",
"MBR10U200CT",
"MBRD10H200CT"
]
