时间：2025/9/12 9:16:34
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MBRD10U100CT是一款由ON Semiconductor生产的双共阴极肖特基势垒整流器（Dual Common Cathode Schottky Barrier Rectifier），主要用于高效率电源转换应用。该器件具有低正向电压降和快速开关特性，适用于各种电源管理电路，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、反激式转换器和适配器等。MBRD10U100CT封装形式为TO-220-3，内部集成了两个10A的肖特基二极管，共阴极结构设计便于简化外围电路设计。
最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
正向电流（IF）：10A
正向电压（VF）：0.45V @ 10A
反向漏电流（IR）：500μA @ 100V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220-3
安装类型：通孔（Through Hole）
MBRD10U100CT具有多项优异的电气特性，使其在高频电源转换应用中表现出色。首先，其低正向压降（典型值为0.45V）可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。其次，该器件的快速恢复时间（trr）极短，几乎可以忽略不计，这使得其在高频开关环境下具有优异的性能表现。此外，MBRD10U100CT采用共阴极双二极管结构，适用于同步整流、输出整流等场合，能够有效减少外围元件数量，提高电路的可靠性。
在热性能方面，MBRD10U100CT采用TO-220封装，具有良好的散热能力，能够在高电流负载下保持稳定运行。其最大工作温度可达+150°C，适合在高温环境下使用。此外，该器件的反向漏电流较低（最大500μA @ 100V），有助于降低空载损耗并提高系统的整体效率。
从制造工艺来看，MBRD10U100CT采用先进的肖特基势垒技术，具有较高的可靠性和较长的使用寿命。其设计符合RoHS环保标准，适用于各种工业、消费类及通信电源系统。
MBRD10U100CT广泛应用于各类高效率电源转换设备中。例如，在开关电源（SMPS）中，它常用于输出整流部分，以降低导通损耗并提高转换效率。在DC-DC转换器中，该器件可作为同步整流器的辅助二极管，提高轻载效率。此外，它也适用于电池充电器、LED驱动电源、适配器以及反激式转换器等应用场景。
由于其双共阴极结构设计，MBRD10U100CT特别适合用于双路输出整流或并联使用以提高电流容量。在通信设备、服务器电源、工业控制系统等对效率和可靠性要求较高的场合，该器件也得到了广泛应用。
值得一提的是，MBRD10U100CT还可用于电源管理模块中的续流二极管，以保护MOSFET等开关器件免受反向电压损坏。其快速恢复特性和低正向压降使其在高频电源拓扑结构中表现出色，能够显著提高系统效率并降低发热量。
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