时间：2025/12/26 9:27:28
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MBRD10150CT-13是一款由Diodes Incorporated生产的双通道肖特基势垒整流二极管，专为高效率、低压降的电源转换应用而设计。该器件采用中心抽头结构（Center-Tapped）配置，内部集成了两个独立的肖特基二极管共阴极连接，非常适合用于低压直流输出的全波整流电路中。由于其低正向压降和快速开关特性，MBRD10150CT-13在开关电源（SMPS）、AC-DC和DC-DC转换器、反激式转换器以及适配器等应用中表现出色。该器件封装在TO-220AB或类似的大功率塑料封装中，具备良好的热性能和机械稳定性，适用于通孔插装工艺。其最大平均整流电流可达10A，峰值重复反向电压为150V，能够在高温环境下稳定工作，结温最高可达125°C。MBRD10150CT-13无反向恢复时间，因此不会产生开关损耗相关的噪声和电磁干扰（EMI），有助于提升系统整体效率并简化滤波设计。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅（Pb），适合绿色电子产品的制造需求。
型号：MBRD10150CT-13
制造商：Diodes Incorporated
器件类型：双肖特基整流二极管（共阴极）
最大重复反向电压（VRRM）：150V
最大直流阻断电压（VR）：150V
平均整流电流（IO）：10A
峰值浪涌电流（IFSM）：150A
正向压降（VF）：典型值0.87V，最大值1.0V（在IF=10A, TC=25°C条件下）
反向漏电流（IR）：最大50μA（在VR=150V, TJ=25°C）；高温下可增至500μA（TJ=125°C）
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
热阻抗（RθJC）：约1.2°C/W
封装形式：TO-220AB
安装方式：通孔（Through-Hole）
MBRD10150CT-13的核心优势在于其采用肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降，通常在10A负载下仅为0.87V左右，显著低于传统PN结二极管，从而大幅降低导通损耗，提高电源系统的整体能效。这种低VF特性对于大电流、低电压输出的应用尤为重要，例如12V或5V输出的开关电源，能够有效减少发热，提升系统可靠性。由于肖特基二极管是多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此没有反向恢复时间（trr ≈ 0），这使得它在高频开关环境中表现优异，避免了因反向恢复引起的尖峰电流和电压振荡，降低了电磁干扰（EMI）风险，并减少了对额外缓冲电路的需求。
该器件采用中心抽头共阴极结构，特别适用于全波整流拓扑，如推挽式、半桥和全桥同步整流后的次级侧整流，简化了PCB布局并减少了元件数量。其TO-220AB封装具有优良的散热能力，可通过加装散热片进一步增强热管理，确保在持续高负载条件下仍能维持安全的工作温度。此外，该器件具备较高的浪涌电流承受能力（IFSM达150A），能够耐受开机瞬间的冲击电流，增强了系统的鲁棒性。产品符合工业级环境要求，具备宽泛的工作与存储温度范围，适用于各种严苛应用场景。同时，MBRD10150CT-13通过了多项国际环保认证，符合无铅（Pb-free）和RoHS指令要求，支持绿色电子产品设计与生产。
MBRD10150CT-13广泛应用于需要高效低压整流的电源系统中。典型用途包括各类开关模式电源（SMPS），尤其是那些输出电压较低但电流较大的场合，例如台式计算机电源、服务器电源模块以及工业电源设备中的次级整流部分。它也常用于AC-DC适配器和充电器中，特别是在大功率笔记本电脑电源适配器中作为输出整流元件，以实现更高的转换效率和更小的体积。在DC-DC转换器中，尤其是在隔离型拓扑如反激式（Flyback）、正激式（Forward）、推挽式（Push-Pull）和半桥/全桥结构中，该器件可用于次级侧整流，替代传统的快恢复二极管，从而减少功耗并提升效率。此外，在不间断电源（UPS）、电信整流模块、LED驱动电源以及太阳能逆变器等电力电子装置中，MBRD10150CT-13也能发挥其低损耗、高可靠性的优势。由于其良好的热性能和高电流处理能力，该器件还适用于电机驱动、电池充电系统及工业控制设备中的电源管理单元。总之，任何需要150V耐压等级、10A级电流能力且追求高效率整流的场景，都是MBRD10150CT-13的理想选择。
MBR10150F
MBR10150CT
STPR10150U
VS-10150CT
