型号：MBRB2545CT
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：双肖特基势垒整流二极管
　　封装形式：TO-220AB
　　引脚数：3
　　最大重复峰值反向电压 VRRM：45V
　　最大直流阻断电压 VR：45V
　　最大RMS电压 VRMS：32V
　　最大直流正向电流 IF(AV) per diode：15A
　　峰值正向浪涌电流 IFSM：80A（单脉冲，半正弦波，8.3ms）
　　正向压降 VF：典型值0.52V（在IF=7.5A, Tj=25°C时），最大值约0.9V（在IF=15A, Tj=125°C时）
　　反向漏电流 IR：最大1.0mA（在VR=45V, Tj=25°C时），高温下可能上升至500μA或更高
　　工作结温范围 TJ：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围 TSTG：-65°C 至 +150°C
　　热阻 RθJC（结到外壳）：约1.5°C/W
　　反向恢复时间 trr：近似为0（肖特基二极管无少子存储效应）

MBRB2545CT的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，该结构通过金属-半导体接触形成整流特性，而非传统的P-N结，因此在导通时表现出极低的正向压降。这一特性使得在大电流工作条件下，器件的导通损耗显著降低，从而提升了电源系统的整体能效。例如，在15A的工作电流下，其正向压降仅为0.9V左右，相较于传统硅二极管的1.2V以上压降，功耗可减少超过30%。这种低损耗特性对于高密度电源设计尤为重要，有助于减小散热器体积，提升功率密度。
　　该器件为双二极管共阴极配置，适合用于中心抽头变压器的全波整流拓扑，常见于中等功率的DC-DC转换器和AC-DC电源次级侧整流。共阴极结构简化了电路布局，减少了外部元件数量，提高了系统的可靠性。同时，由于肖特基二极管不具备少数载流子存储效应，其反向恢复时间极短，接近于零，因此在高频开关应用中不会产生明显的反向恢复电流尖峰，减少了开关节点的电压振铃和电磁干扰（EMI），有利于提高系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　MBRB2545CT具备良好的热稳定性与可靠性。其TO-220AB封装具有较低的热阻（RθJC约为1.5°C/W），能够有效地将内部产生的热量传导至外部散热器，确保在高负载条件下结温维持在安全范围内。此外，该器件能够承受高达80A的非重复浪涌电流，适用于存在启动冲击或瞬态过流的应用环境，如电机驱动电源或电池充电系统。其宽泛的工作结温范围（-65°C至+125°C）也使其能够在恶劣环境条件下稳定运行，包括工业控制和汽车电子等应用场景。

MBRB2545CT广泛应用于多种中等功率电源系统中，尤其适合作为次级侧整流器件使用。在开关模式电源（SMPS）中，该器件常用于输出整流阶段，特别是在低压大电流输出的电源中，如12V或5V输出的服务器电源、通信电源模块等。由于其低正向压降特性，能够显著减少整流过程中的能量损耗，提高电源转换效率，满足日益严格的能效标准要求。
　　在DC-DC转换器中，MBRB2545CT可用于同步整流的替代方案或作为自由轮转二极管使用，尤其在非隔离型Buck或Boost拓扑中表现优异。虽然现代高性能DC-DC转换器多采用MOSFET实现同步整流以进一步降低损耗，但在成本敏感或设计复杂度受限的应用中，MBRB2545CT仍是一个可靠且高效的解决方案。
　　此外，该器件也适用于逆变器电路中的续流路径，防止感性负载产生的反电动势损坏主开关器件。在电池充电管理系统中，它可以作为防反接保护二极管，防止电池反向接入导致系统损坏。在太阳能逆变器、UPS不间断电源、工业控制电源以及消费类电子产品（如大功率LED驱动电源）中也有广泛应用。得益于其高电流承载能力和良好的热性能，MBRB2545CT在需要长时间稳定运行的工业设备中表现出色。

MBR2045CT
　　MBR3045CT
　　SBR25U45SP5