时间：2025/8/28 16:01:47
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MBR860MFST1G是一款由ON Semiconductor生产的肖特基二极管芯片，适用于高效率电源转换应用。该器件采用先进的工艺制造，具有低正向电压降和快速开关特性，能够在高频率下稳定工作。
类型：肖特基二极管
最大正向电流：8A
峰值反向电压：60V
正向电压（典型值）：0.35V（@8A）
反向漏电流（最大值）：0.5mA（@60V，25℃）
工作温度范围：-55℃~+150℃
封装类型：TO-252（DPAK）
引脚数量：3
MBR860MFST1G具有低正向电压降，这使其在大电流工作时功耗更低，效率更高。此外，该器件的快速恢复时间非常短，适合高频开关应用，减少开关损耗。其采用TO-252封装，具有良好的热性能和机械稳定性，便于在各种PCB布局中安装。该芯片还具有较高的电流承载能力，在8A的额定电流下仍能保持良好的稳定性和可靠性。
在可靠性方面，MBR860MFST1G经过严格的测试和验证，适用于工业级和汽车级应用环境。其宽广的工作温度范围允许它在极端条件下正常运行，确保系统长期稳定工作。此外，该器件的封装材料符合RoHS标准，具有环保和无铅的特点，适用于现代电子制造的环保要求。
该芯片广泛应用于DC-DC转换器、电源适配器、电池充电器、太阳能逆变器、汽车电子系统以及各类高效率开关电源设备中。由于其低正向压降和高效能特性，也常用于电源管理系统和功率因数校正（PFC）电路中。
MBR860T3、MBRS3H60T、MBR845、MBR860T1
