MBR845F是一款由ON Semiconductor生产的肖特基二极管,广泛用于各种电源管理和转换应用中。该器件采用了先进的肖特基势垒技术,具有低正向压降和快速开关特性,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。
最大重复反向电压(VRRM):45V
最大平均整流电流(IF(AV)):8A
正向压降(VF):0.47V(典型值,IF=8A时)
反向漏电流(IR):100μA(最大值,VR=45V时)
工作温度范围:-55°C至+125°C
MBR845F的主要特点之一是其低正向压降,这有助于减少功率损耗并提高系统效率。在额定电流下,正向压降仅为0.47V左右,显著低于普通硅二极管。
此外,该器件具有非常快的开关速度,几乎没有反向恢复时间,这使其非常适合用于高频应用。反向漏电流在额定电压下保持较低水平,有助于维持良好的稳定性和可靠性。
MBR845F采用TO-220封装,具有良好的散热性能,能够在高电流条件下稳定工作。封装设计也便于安装在标准的散热器上,以提高热管理效率。
该肖特基二极管的可靠性高,适用于各种工业和消费类电子设备。其宽广的工作温度范围使其能够在严苛的环境中正常运行,适用于汽车电子、电源适配器、DC-DC转换器等多种应用场景。
MBR8445F通常用于电源整流、续流二极管、反向电压保护、电池充电器、DC-DC转换器、AC-DC电源模块等应用。由于其高效能和高可靠性,它在工业电源、消费类电子产品、通信设备以及汽车电子系统中都有广泛的应用。
MBR845FCT, MBR845F-ASEMI