MBR845F 时间：2025/8/14 23:56:22 阅读：42

MBR845F是一款由ON Semiconductor生产的肖特基二极管，广泛用于各种电源管理和转换应用中。该器件采用了先进的肖特基势垒技术，具有低正向压降和快速开关特性，适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。

参数

最大重复反向电压（VRRM）：45V
　　最大平均整流电流（IF(AV)）：8A
　　正向压降（VF）：0.47V（典型值，IF=8A时）
　　反向漏电流（IR）：100μA（最大值，VR=45V时）
　　工作温度范围：-55°C至+125°C

特性

MBR845F的主要特点之一是其低正向压降，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。在额定电流下，正向压降仅为0.47V左右，显著低于普通硅二极管。
　　此外，该器件具有非常快的开关速度，几乎没有反向恢复时间，这使其非常适合用于高频应用。反向漏电流在额定电压下保持较低水平，有助于维持良好的稳定性和可靠性。
　　MBR845F采用TO-220封装，具有良好的散热性能，能够在高电流条件下稳定工作。封装设计也便于安装在标准的散热器上，以提高热管理效率。
　　该肖特基二极管的可靠性高，适用于各种工业和消费类电子设备。其宽广的工作温度范围使其能够在严苛的环境中正常运行，适用于汽车电子、电源适配器、DC-DC转换器等多种应用场景。