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MBR8150D 发布时间 时间:2025/8/14 23:16:25 查看 阅读:18

MBR8150D是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的肖特基二极管,采用双共阴极封装结构,主要应用于电源管理和DC-DC转换器中。这款二极管具有低正向电压降、高电流能力和快速开关特性,适用于高效率电源设计。

参数

类型:肖特基二极管
  最大正向电流(IF):8A
  峰值反向电压(VRM):150V
  正向电压降(VF):约0.55V(在8A时)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:D2PAK(TO-263)

特性

MBR8150D的低正向电压降显著降低了功率损耗,提高了电源转换效率。
  该器件采用了双共阴极结构,可以简化PCB布局,减少寄生电感的影响。
  由于其高电流承载能力和快速开关特性,适用于高频率开关电源应用。
  该二极管还具有良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作。
  此外,MBR8150D符合RoHS环保标准,适合无铅工艺制造。

应用

MBR8150D广泛应用于各种电源管理系统中,如DC-DC转换器、同步整流电路和负载开关等。
  它特别适合用于高电流、高效率要求的电源模块,如服务器电源、通信设备电源和工业控制系统。
  此外,该器件还可用于电池充电器、逆变器以及电源管理单元(PMU)中。
  由于其优异的热性能和可靠性,MBR8150D也常用于汽车电子系统中的电源转换模块。

替代型号

MBR8150DG、MBR8150DT、MBR8H150RA

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