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MBR8030R 发布时间 时间:2025/9/3 3:00:46 查看 阅读:7

MBR8030R 是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的肖特基二极管阵列芯片,广泛应用于高频率开关电源、整流电路、逆变器和DC-DC转换器等领域。该器件采用了先进的肖特基势垒技术,具有低正向电压降和快速恢复时间的特点,适用于需要高效能和高稳定性的功率电子系统。

参数

封装类型:TO-220AB
  最大重复峰值反向电压(VRRM):30V
  平均整流电流(IF(AV)):8A
  最大正向压降(VF):0.55V(典型值)
  最大反向漏电流(IR):0.5mA(最大值)@ 25°C
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  存储温度范围:-65°C ~ +175°C
  最大结温(TJ):175°C

特性

MBR8030R 的核心特性在于其卓越的电性能和可靠性。该器件采用了先进的肖特基势垒技术,具有非常低的正向压降,这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。此外,它具备极快的恢复时间,几乎可以忽略不计,使其非常适合用于高频开关应用。
  其封装形式为 TO-220AB,具有良好的散热性能,能够在高电流负载下稳定工作。该器件还具有较低的反向漏电流,确保在高温环境下仍能保持良好的性能。MBR8030R 的设计考虑了工业级应用的需求,能够在较宽的温度范围内稳定运行,适用于恶劣的工业环境。
  在可靠性方面,MBR8030R 经过了严格的测试和验证,确保其在长期运行中不会出现性能退化问题。其结构设计和材料选择都优化了热管理和机械强度,从而延长了器件的使用寿命。

应用

MBR8030R 主要应用于电源管理系统、DC-DC转换器、不间断电源(UPS)、逆变器、整流电路以及各种高频开关电源设备中。由于其低正向压降和快速响应特性,特别适合用于需要高效能量转换和节能设计的场合。此外,该器件也常用于工业自动化系统、通信电源模块、汽车电子系统以及消费类电子产品中的电源管理部分。
  在电源设计中,MBR8030R 能有效降低导通损耗,提高整体效率,同时其快速恢复特性减少了开关损耗,提升了系统的响应速度和稳定性。在汽车电子领域,该器件可用于车载充电系统和电机控制器中,以满足高可靠性和高效率的要求。

替代型号

MBR8030CT, SR8030, MBR8H30AG

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MBR8030R参数

  • 制造商GeneSiC Semiconductor
  • 产品Schottky Diodes
  • 峰值反向电压30 V
  • 正向连续电流80 A
  • 最大浪涌电流1000 A
  • 正向电压下降0.75 V
  • 最大反向漏泄电流1 uA
  • 工作温度范围- 65 C to + 150 C
  • 安装风格Stud
  • 封装 / 箱体DO-5
  • 工厂包装数量5