时间：2025/9/3 8:24:39
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MBR60035是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的600V、35A的碳化硅（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率和高温工作环境设计。由于碳化硅材料的特性，该器件相比传统的硅基二极管具有更低的正向压降、更高的热稳定性和更优的开关性能，广泛应用于工业电源、电动汽车充电系统、太阳能逆变器和高频率开关电源等场合。
最大重复峰值反向电压：600V
最大正向平均电流：35A
正向压降（@35A, 25°C）：1.75V（典型值）
反向漏电流（@600V, 25°C）：100μA（最大值）
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
存储温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-247
MBR60035作为一款碳化硅肖特基二极管，具有显著的性能优势。其600V的反向耐压和35A的正向电流能力，使其适用于中高功率级别的应用。由于碳化硅材料的特性，该器件在导通状态下具有较低的正向压降（典型值为1.75V），从而减少了导通损耗，提高了整体系统效率。
此外，MBR60035具备非常快的恢复时间，几乎可以忽略不计，这使其非常适合用于高频率开关应用，例如功率因数校正（PFC）电路和DC-DC转换器。与传统硅二极管相比，该器件在高温下依然保持良好的性能，提升了系统的可靠性和稳定性。
MBR60035采用TO-247封装，具备良好的散热能力和机械稳定性，适用于各种工业级和汽车级应用场景。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C至+175°C）使其在极端环境下也能保持稳定运行。
MBR60035广泛应用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统中。典型应用包括电动汽车车载充电器（OBC）、太阳能逆变器、工业电源、服务器电源、UPS系统、功率因数校正（PFC）电路以及高频DC-DC转换器等。由于其优异的高温性能和快速恢复特性，它也非常适合用于需要高频率开关和低损耗的拓扑结构，如LLC谐振转换器和同步整流电路。
在电动汽车领域，MBR60035可用于车载充电系统中的整流部分，提升充电效率并减少热量产生。在可再生能源系统中，如太阳能逆变器，该器件能够有效提高能量转换效率，降低系统损耗，延长设备使用寿命。
MBR60040, SiC30ED120, IDH06G65C6
