时间：2025/12/26 12:09:37
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MBR30H100CTF-E1是一款由ON Semiconductor生产的高性能双肖特基势垒整流器，专为高效率电源转换应用设计。该器件采用TO-220AB封装，具有低正向电压降和高电流承载能力，适用于开关模式电源（SMPS）、逆变器、直流-直流转换器以及极性保护电路等场合。MBR30H100CTF-E1的额定平均正向整流电流可达30A，最大反向重复峰值电压为100V，使其在中等电压大电流应用中表现出色。其内部结构包含两个阴极连接在一起的肖特基二极管，构成中心抽头配置，这种设计特别适合全波整流拓扑，有助于减少元件数量并提升系统可靠性。得益于肖特基势垒技术，该器件具备快速开关特性，无少数载流子存储效应，因此在高频工作条件下可显著降低开关损耗，提高整体能效。此外，MBR30H100CTF-E1符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子制造需求。器件的热性能优良，通过外接散热片可有效管理功耗产生的热量，确保长时间稳定运行。
型号：MBR30H100CTF-E1
封装类型：TO-220AB
通道数：双通道（中心抽头）
最大重复反向电压（VRRM）：100V
平均整流电流（IF(AV)）：30A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A（半正弦波，8.3ms）
最大正向压降（VF）：0.87V @ 15A, 25°C（每二极管）
最大反向漏电流（IR）：1.0mA @ 100V, 25°C；10mA @ 100V, 125°C
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
储存温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
热阻结到外壳（RθJC）：1.2°C/W
安装方式：通孔安装
MBR30H100CTF-E1采用先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降与高效的能量转换性能。其最大正向压降在15A电流下仅为0.87V左右，显著低于传统PN结二极管，从而大幅降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子的存储时间问题，因此具备极快的反向恢复速度，几乎为零反向恢复电荷（Qrr），这使得它在高频开关环境中表现优异，能够有效抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。器件内部集成了两个对称的肖特基二极管，并以共阴极中心抽头形式封装，非常适合用于全波整流电路，例如在同步整流替代方案或低压大电流输出的DC-DC变换器中使用，可以简化外围电路设计，节省空间并降低成本。
该器件具有出色的热性能和高可靠性，结温最高可达+150°C，能够在高温环境下持续稳定工作。其热阻结至壳仅为1.2°C/W，配合适当的散热器可有效将内部热量传导至外部环境，防止因过热导致性能下降或损坏。同时，MBR30H100CTF-E1具备良好的浪涌电流承受能力，峰值正向浪涌电流可达150A（基于8.3ms半正弦波测试条件），可在瞬态负载或启动过程中提供可靠的保护。产品符合工业级质量标准，经过严格的电气和机械测试，确保长期使用的耐用性。此外，该器件采用环保材料制造，满足RoHS指令要求，支持无铅回流焊工艺，适用于自动化表面贴装生产线，兼容现代绿色制造流程。
MBR30H100CTF-E1广泛应用于各类需要高效、大电流整流的电力电子系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），尤其是在服务器电源、通信电源和工业电源中作为输出整流模块的核心元件。其低正向压降特性有助于提升低压大电流输出（如5V、3.3V甚至更低）时的转换效率，减少发热，延长设备寿命。在直流-直流转换器中，特别是非隔离型降压（Buck）或升压（Boost）拓扑中，该器件可用于续流或输出整流路径，利用其快速响应能力降低开关损耗。此外，在太阳能逆变器和UPS不间断电源系统中，MBR30H100CTF-E1也常被用作功率整流单元，处理来自电池组或光伏阵列的能量流动。
由于其双二极管共阴极结构，该器件特别适合构建中心抽头全波整流电路，常见于变压器次级侧的交流转直流环节，例如在老式AC-DC适配器或多路输出电源中。它也可用于电机驱动器中的自由轮续流路径，吸收感性负载断开时产生的反电动势，保护主开关器件。在汽车电子领域，尽管并非AEC-Q101认证器件，但在某些非车载关键系统的辅助电源中仍有应用潜力。此外，该器件还可作为极性反接保护元件，防止电源输入接反而损坏后续电路。凭借其高电流容量和良好热性能，MBR30H100CTF-E1在工业控制、电信基础设施、消费类大功率适配器以及测试测量设备中均有广泛应用。
MBR30H100CT
