MBR3045CT-E1 时间：2025/12/26 11:57:14 阅读：17

MBR3045CT-E1是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高性能双肖特基势垒整流器，广泛应用于高效率电源转换系统中。该器件采用先进的平面技术制造，具有低正向压降和快速开关特性，非常适合用于连续电流导通模式下的整流应用。MBR3045CT-E1的最大重复峰值反向电压为45V，平均整流电流可达30A，适用于大电流、低压输出的场景。其封装形式为TO-220AB，具备良好的热性能和机械稳定性，适合在工业级温度范围内工作。这款二极管特别适用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器以及续流或极性保护电路中。
　　该器件的设计注重能效和可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。由于其双共阴极配置，两个独立的肖特基二极管共享同一个阴极连接，这种结构常用于中心抽头变压器的全波整流拓扑中，如单端正激或推挽式转换器。此外，MBR3045CT-E1符合RoHS指令要求，并且通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环保和安全性的高标准。其内部结构优化了电流传导路径，降低了寄生电感和电阻，从而减少功率损耗并提升整体系统效率。

参数

最大重复峰值反向电压（VRRM）：45V
　　最大均方根电压（VRMS）：32V
　　最大直流阻断电压（VDC）：45V
　　平均整流电流（IF(AV)）@ Tc=115°C：30A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：150A
　　最大正向压降（VFM）@ IF=15A, TJ=25°C：0.57V
　　最大反向漏电流（IR）@ VR=45V, TJ=25°C：0.5mA
　　最大反向漏电流（IR）@ VR=45V, TJ=125°C：500μA
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　热阻结到壳（RθJC）：1.2°C/W
　　封装类型：TO-220AB

特性

MBR3045CT-E1的核心优势在于其出色的低正向压降性能，这直接关系到整流过程中的能量损耗。在典型工作条件下，当通过15A电流时，其正向压降仅为0.57V左右，显著低于传统硅整流二极管，从而大幅降低导通损耗，提高电源系统的整体效率。这一特性对于追求高能效的应用至关重要，尤其是在大电流输出的开关电源或DC-DC变换器中，能够有效减少发热，提升系统可靠性。
　　其次，该器件采用了肖特基势垒结构，具备天然的快速恢复特性，反向恢复时间几乎可以忽略不计，因此不会产生明显的反向恢复电荷（Qrr），避免了因开关瞬态引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI）问题。这对于高频开关应用尤为重要，因为它允许使用更高频率的开关操作，进而减小磁性元件和滤波电容的体积，实现电源的小型化和轻量化设计。
　　此外，MBR3045CT-E1具有优异的热稳定性和长期可靠性。其TO-220AB封装提供了良好的散热能力，配合适当的散热片可确保在满载运行下结温维持在安全范围内。器件经过严格的质量控制流程生产，并通过多项环境与寿命测试，确保在工业级宽温范围内稳定运行。其反向漏电流随温度上升虽有所增加，但在正常工作条件下仍处于可控范围，不会影响系统功能。
　　安全性方面，该产品符合国际安规标准，具备较高的浪涌电流承受能力（高达150A），能够在启动或负载突变等瞬态工况下可靠工作。同时，其双共阴极结构便于在全波整流电路中布线，减少了外部连接复杂度，提升了装配效率。总体而言，MBR3045CT-E1是一款兼顾性能、效率与可靠性的先进功率整流器件，适用于对能效和稳定性有严苛要求的现代电力电子系统。

应用

MBR3045CT-E1主要应用于各类高效率开关电源（SMPS），特别是低压大电流输出的AC-DC和DC-DC转换器中。它常被用作次级侧整流元件，在单端正激、推挽或半桥拓扑结构中实现高效的能量传递。由于其低正向压降和快速响应特性，非常适合用于服务器电源、通信电源模块、工业控制电源以及嵌入式系统供电单元。
　　在直流-直流变换器中，该器件可用于同步整流替代方案或作为续流二极管，帮助抑制电感反电动势，保护主开关器件。此外，它也广泛应用于不间断电源（UPS）、逆变器、太阳能充电控制器以及电机驱动系统中的自由轮转（flywheeling）或钳位电路。
　　由于其封装具备良好的机械强度和散热性能，MBR3045CT-E1也可用于车载电子设备、汽车充电系统及工业自动化设备中，尤其适合需要长时间连续运行和高可靠性的场合。另外，由于其符合RoHS和无卤素要求，适用于出口型电子产品和绿色能源项目。