电流容量：30A
　　反向电压：20V
　　正向压降：0.39V @ 15A
　　反向漏电流：10μA @ 25°C
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220
　　热阻（RθJC）：1.5°C/W

MBR3020FCT采用了先进的Trench Schottky技术，这种技术通过在硅片表面形成沟槽结构来减少正向压降并提高反向阻断能力。其典型正向压降仅为0.39V（在15A电流下），显著低于传统肖特基二极管，有助于提高能效并降低系统热损耗。该器件的反向漏电流在25°C时仅为10μA，表现出良好的温度稳定性，能够在高温环境下保持较低的漏电流，从而减少额外的功率损耗。
　　此外，MBR3020FCT具有出色的浪涌电流承受能力，能够应对瞬态过载情况，提高系统的可靠性和稳定性。其TO-220封装形式具有良好的散热性能，适用于需要高功率密度设计的应用场景。该器件的热阻（RθJC）为1.5°C/W，表明其具有优异的热传导能力，能够有效地将热量从芯片传导到散热器，防止因过热而导致的性能下降或损坏。
　　MBR3020FCT的封装设计也使其易于安装和更换，广泛适用于工业电源、通信设备、计算机服务器等高可靠性应用中。

MBR3020FCT主要应用于高效率的电源转换系统中，如开关电源（SMPS）、DC/DC转换器、电源适配器、服务器电源、工业控制系统、电信设备以及电池充电器等。由于其低正向压降和高浪涌电流能力，特别适合用于要求高能效和高可靠性的电源设计中。在这些应用中，MBR3020FCT能够有效降低功率损耗，提高整体系统效率，并减少散热设计的复杂性。其高可靠性使其在高温和高负载条件下依然能够稳定运行，因此广泛应用于数据中心、通信基站、工业自动化设备等对电源质量要求较高的领域。

MBR3025FCT, MBR3030FCT, MBRS3H20T3G