时间:2025/12/27 8:49:16
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MBR30200CL是一款由ON Semiconductor生产的高性能双肖特基势垒整流器,专为高电流、低电压应用设计。该器件采用先进的平面技术制造,具备极低的正向压降和快速开关特性,能有效减少功率损耗并提升系统效率。MBR30200CL封装在TO-220AC(D2PAK)表面贴装封装中,这种封装形式不仅支持大电流通过,还具有良好的热传导性能,有助于在高负载条件下实现有效的热量散发,从而提高器件的可靠性与寿命。由于其出色的电气性能和紧凑的设计,MBR30200CL广泛应用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、逆变器、电池充电系统以及各种需要高效整流功能的工业和消费类电子产品中。此外,该器件符合RoHS环保标准,适合无铅焊接工艺,在现代绿色电子制造中具有重要地位。MBR30200CL特别适用于要求高效率和高可靠性的电源拓扑结构,例如同步整流或自由轮续流二极管配置。其双二极管共阴极结构使其能够在半桥或全桥拓扑中灵活使用,满足多种电路布局需求。
产品类型:双肖特基整流器
封装/外壳:TO-220AC(D2PAK)
配置:双共阴极
反向电压(VRRM):200 V
平均整流电流(IO):30 A
峰值浪涌电流(IFSM):150 A
最大正向压降(VF):0.87 V @ 15 A, 125°C
最大反向漏电流(IR):0.5 mA @ 125°C
工作结温范围(TJ):-65°C 至 +150°C
热阻(RθJC):1.0 °C/W
安装类型:表面贴装
MBR30200CL的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,这种技术利用金属-半导体结代替传统的PN结,从而显著降低正向导通压降,减少导通损耗,并消除少数载流子存储效应,实现近乎瞬时的开关响应。这使得器件在高频开关环境中表现出色,能够有效抑制开关噪声和电磁干扰(EMI),提高整个电源系统的稳定性与效率。该器件的正向压降典型值仅为0.87V,在15A电流和125°C工作温度下仍能保持较低水平,这意味着即使在高温环境下也能维持较高的能量转换效率,避免因过热导致的性能下降。此外,MBR30200CL具备高达150A的峰值浪涌电流承受能力,可应对电源启动或负载突变时的瞬态大电流冲击,增强了系统的鲁棒性。
其TO-220AC(D2PAK)封装不仅便于自动化贴片生产,还具备优异的散热性能,热阻仅为1.0°C/W,确保在持续高负载运行时结温不会迅速上升。器件的工作结温范围宽达-65°C至+150°C,适应严苛的工业环境和高温应用场景。双共阴极结构允许两个独立的肖特基二极管共享同一散热路径,优化了PCB布局空间的同时提升了功率密度。此外,该器件对反向恢复电荷几乎为零,避免了传统快恢复二极管在关断过程中产生的反向恢复尖峰电流和电压振荡问题,进一步降低了开关损耗和应力,延长了配套MOSFET或IGBT等开关器件的使用寿命。MBR30200CL经过严格的质量控制和可靠性测试,符合AEC-Q101汽车级认证标准的部分要求,也可用于对可靠性要求较高的汽车电子系统中。
MBR30200CL广泛应用于各类需要高效、大电流整流的电力电子系统中。在开关电源(SMPS)领域,它常被用作输出整流二极管,特别是在低压大电流输出场景如12V或5V电源模块中,其低正向压降特性可显著提升整体效率。在DC-DC转换器中,该器件可作为续流二极管或同步整流的辅助元件,帮助降低功耗并提高转换效率。在太阳能逆变器和UPS不间断电源系统中,MBR30200CL用于防止电流倒灌和提供路径续流,保障系统安全稳定运行。此外,它也适用于电机驱动器中的箝位保护电路,吸收感性负载断开时产生的反电动势,保护主开关器件。在电池管理系统(BMS)和充电设备中,该器件可用于充放电路径的隔离与控制,确保能量流动方向正确且损耗最小。由于其表面贴装封装形式,特别适合现代高密度、自动化程度高的PCB组装流程,常见于通信电源、服务器电源、工业控制电源以及新能源相关设备中。凭借其高可靠性与优良的热性能,MBR30200CL也在部分车载电源系统中得到应用,例如车载逆变器、DC-DC变换器等,满足汽车电子对耐温性和长期稳定性的严苛要求。
STPS30L20CX, MBR30H200CT, VS-30CPQ200