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MBR30150 发布时间 时间:2025/12/26 18:42:46 查看 阅读:42

MBR30150是一款由ON Semiconductor生产的30A肖特基势垒整流二极管,广泛应用于高效率电源转换系统中。该器件采用三个独立的150V额定电压的肖特基二极管封装在一个紧凑的TO-247封装内,适合需要大电流、低正向压降和快速开关特性的应用场景。MBR30150的设计旨在提供优异的热性能和可靠性,适用于工业电源、开关模式电源(SMPS)、逆变器、DC-DC转换器以及自由轮转或箝位二极管应用。该器件无反向恢复时间(trr),因此在高频开关电路中能显著降低开关损耗,提高整体系统效率。其低正向电压特性有助于减少导通损耗,从而提升电源系统的能效表现。此外,MBR30150符合RoHS标准,支持环保生产流程,并具备良好的抗浪涌能力,可承受高达60A的非重复峰值电流,增强了在恶劣工作环境下的稳定性与耐用性。

参数

最大重复反向电压:150V
  正向连续电流(单个二极管):30A
  峰值正向浪涌电流(8.3ms半正弦波):60A
  正向电压(@30A, TJ=25°C):典型1.45V,最大1.7V
  反向漏电流(@150V, TJ=25°C):最大1.0mA
  反向漏电流(@150V, TJ=125°C):最大100mA
  工作结温范围:-65°C 至 +175°C
  存储温度范围:-65°C 至 +175°C
  封装类型:TO-247AC

特性

MBR30150的核心优势在于其作为肖特基势垒二极管所具备的低正向压降和无反向恢复电荷特性。这种结构使其在导通状态下具有极低的能量损耗,尤其是在大电流负载条件下,相比传统的PN结二极管能够显著提升电源系统的整体效率。其正向电压在30A电流下典型值仅为1.45V,在高温环境下也保持相对稳定,这有效减少了功率耗散并降低了散热设计难度。由于没有少数载流子存储效应,MBR30150在关断过程中不存在反向恢复电流尖峰,避免了由此引发的电磁干扰(EMI)问题和额外的开关损耗,特别适用于高频开关电源拓扑如同步整流、有源箝位和LLC谐振转换器等。该器件的工作结温可达+175°C,表现出卓越的热稳定性,能够在高温工业环境中长期可靠运行。同时,它具备出色的瞬态过载能力,可承受高达60A的短时浪涌电流,提升了系统应对突发负载或启动冲击的能力。TO-247封装提供了优良的热传导路径,便于安装散热器以实现高效散热,进一步增强器件在高功率密度应用中的适用性。此外,MBR30150采用环保材料制造,符合国际环保标准,适用于全球范围内的工业与消费类电子产品。
  值得注意的是,尽管肖特基二极管具有诸多优点,但其反向漏电流随温度升高而显著增加,在高温高电压应用中需谨慎评估功耗与热管理方案。设计时应确保良好的PCB布局与足够的散热措施,以防止局部过热导致器件失效。总体而言,MBR30150凭借其高性能参数与稳健的封装设计,成为中高功率电源系统中理想的整流与续流解决方案。

应用

MBR30150常用于各类高效率开关电源系统中,特别是在需要大电流输出和低损耗整流的场合。典型应用包括工业级AC-DC和DC-DC电源模块、服务器电源、电信设备电源单元、太阳能逆变器、UPS不间断电源系统以及电机驱动电路中的续流或箝位功能。在DC-DC降压或升压转换器中,该器件可用作输出整流二极管,利用其低正向压降特性减少能量损失,提高转换效率。在逆变器和变频器系统中,MBR30150可用于感应负载的自由轮转路径,保护主开关器件免受反电动势损坏。此外,由于其快速响应特性和无反向恢复行为,也适合用于高频软开关拓扑结构中,如ZVS(零电压开关)和ZCS(零电流开关)电路,有助于降低开关应力并提升系统可靠性。在大功率LED照明电源、电池充电器和焊接设备中,该器件同样发挥着关键作用。得益于其坚固的TO-247封装和宽温度工作范围,MBR30150还适用于严苛工业环境下的嵌入式电源设计。

替代型号

STTH30R16TY
  VS-30CPQ150
  MBR30H150CT
  IXYS IXSH30N150

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