MBR30100C 时间：2025/12/26 12:54:18 阅读：9

MBR30100C是一款由ON Semiconductor生产的30A肖特基势垒整流器，广泛应用于需要高效率和低功耗的电源系统中。该器件采用TO-220AC封装，具备优良的热性能和机械稳定性，适合在高温环境下运行。MBR30100C的主要功能是将交流电转换为直流电，常用于开关模式电源（SMPS）、逆变器、电池充电器以及各种工业和消费类电子产品中的整流电路。
　　作为一款肖特基二极管，MBR30100C具有较低的正向电压降（VF），通常在0.5V至0.85V之间（具体取决于工作电流和温度条件），这显著降低了导通损耗，提高了整体电源转换效率。同时，由于其快速恢复特性，反向恢复时间几乎可以忽略不计，因此特别适用于高频开关应用场合。该器件的反向重复峰值电压（VRRM）为100V，能够承受一定的瞬态过压冲击，增强了系统的可靠性。
　　MBR30100C的设计符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，支持无铅焊接工艺。此外，它还具备良好的浪涌电流承受能力，额定非重复浪涌正向电流可达150A（单个半正弦波，8.3ms）。这种高浪涌能力使其能够在电源启动或负载突变时保持稳定工作，避免因瞬时大电流而导致器件损坏。

参数

型号：MBR30100C
　　类型：肖特基势垒二极管
　　最大平均整流电流：30A
　　峰值重复反向电压：100V
　　最大正向平均电流：30A
　　最大正向电压降：0.85V @ 30A, 125°C
　　反向漏电流：1.0mA @ 100V, 25°C
　　工作结温范围：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220AC
　　安装方式：通孔安装
　　热阻结到壳：1.5°C/W

特性

MBR30100C的核心优势在于其优异的电气性能与高可靠性设计，尤其体现在低正向压降和高效率整流能力上。该器件的正向电压降典型值仅为0.85V，在30A满载条件下仍能保持相对较低的导通损耗，这意味着在大电流工作中产生的热量更少，从而减少了散热器的需求，有助于缩小整个电源系统的体积并提升功率密度。这一特性对于高密度电源设计如服务器电源、通信设备电源模块以及便携式工业设备尤为重要。
　　另一个关键特性是其出色的热管理能力。得益于TO-220AC封装结构，MBR30100C具备良好的导热路径，可有效将芯片内部产生的热量传导至外部散热器或PCB铜箔上。其热阻结到壳（RθJC）仅为1.5°C/W，表明每瓦特功耗仅导致结温升高1.5摄氏度，这对于长时间连续运行的高功率应用非常有利。结合高达+175°C的最大工作结温，该器件可在极端环境温度下依然保持稳定性能，适用于汽车电子、工业控制及户外电源系统等严苛应用场景。
　　此外，MBR30100C具有极快的开关响应速度，属于非受控型快速恢复器件，其反向恢复时间几乎为零，远优于传统PN结二极管。这不仅减少了开关过程中的能量损耗，还抑制了高频噪声的产生，提升了电磁兼容性（EMC）表现。同时，低反向漏电流（最大1.0mA @ 100V, 25°C）确保了在关断状态下的微小静态功耗，有利于待机模式下的节能设计。综合来看，MBR30100C凭借其高效、可靠、耐高温和易于集成的特点，成为现代高效电源系统中不可或缺的关键元器件之一。

应用

MBR30100C被广泛应用于多种电力电子系统中，尤其是在对效率和热性能要求较高的场合。常见应用包括开关模式电源（SMPS），如计算机ATX电源、LED驱动电源、电信整流模块等，其中它作为输出整流二极管使用，负责将高频变压器次级侧的交流脉冲转换为稳定的直流电压。由于其低VF特性和高电流承载能力，能够显著提高这些电源的转换效率，满足80 PLUS等能效认证的要求。
　　在DC-DC转换器中，MBR30100C常用于同步整流拓扑的辅助整流路径或作为防反接保护二极管，防止电流倒灌损坏前级电路。其快速响应能力和低损耗特性有助于提升转换器的整体动态响应和效率表现。此外，在太阳能光伏逆变器系统中，该器件可用于旁路二极管配置，以减少阴影遮挡引起的热斑效应，保护光伏组件免受局部过热损伤。
　　其他典型应用还包括不间断电源（UPS）、电池充电管理系统（BMS）、电动工具电源模块以及工业电机驱动器中的续流/箝位电路。在汽车电子领域，尽管该器件并非专为车载环境设计，但在某些辅助电源或外挂式电源适配器中也有应用实例。总体而言，MBR30100C适用于所有需要大电流、低压降、高频率整流功能的中高端电源解决方案。