MBR2545 时间：2025/12/26 18:29:54 阅读：9

MBR2545是一款由ONSEMI（安森美）生产的25A、45V肖特基势垒整流二极管，采用TO-247封装。该器件专为高效率电源转换应用设计，具有低正向压降和快速开关特性，能够有效降低功耗并提高系统整体效率。MBR2545广泛应用于开关模式电源（SMPS）、逆变器、DC-DC转换器以及续流和极性保护电路中。其高电流承载能力和良好的热性能使其适合在高功率密度和高温环境下工作。该器件不含铅（符合RoHS标准），并且通过了严格的可靠性测试，适用于工业、通信和消费类电子设备中的关键电源部分。MBR2545的结构采用多个并联的肖特基二极管芯片，以实现25A的大电流处理能力，并通过优化金属-半导体结的设计来降低正向导通损耗。由于其TO-247封装具备较大的散热面积，能够有效传导热量至外部散热器，因此在自然对流或强制风冷条件下均可稳定运行。此外，该器件无反向恢复电荷（Qrr），从根本上消除了开关过程中的反向恢复损耗，显著减少了电磁干扰（EMI）并提升了高频工作的稳定性。

参数

类型：肖特基二极管
　　配置：单个
　　最大重复反向电压（VRRM）：45V
　　最大平均整流电流（IO）：25A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：300A
　　最大正向压降（VF）：0.54V @ 12.5A, 0.58V @ 25A
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 45V, 25°C；10mA @ 45V, 125°C
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　热阻结到外壳（RθJC）：1.5°C/W
　　封装/外壳：TO-247AD

特性

MBR2545的核心优势在于其卓越的低正向压降特性，这直接关系到整流过程中的能量损耗。在典型工作条件下，当通过12.5A电流时，其正向压降仅为0.54V，在满载25A时也仅上升至0.58V左右。这一性能显著优于传统的PN结二极管，如快恢复二极管或超快恢复二极管，后者通常具有更高的导通压降（约0.8V~1.2V）。由于功率损耗P = VF × IF，因此即使在中等电流水平下，MBR2545也能节省大量功耗，从而减少发热，提升系统能效。例如，在25A连续电流下，其功耗约为14.5W，而一个VF为1.0V的普通二极管将产生高达25W的损耗，差距明显。
　　另一个关键特性是其零反向恢复电荷（Zero Qrr）行为。肖特基二极管基于金属-半导体结而非P-N结，因此不存在少数载流子存储效应，也就没有反向恢复时间（trr）和相关的电流尖峰。这一特点使得MBR2545非常适合用于高频开关电路，如同步整流拓扑或与MOSFET配合使用的续流路径中。它能够避免因反向恢复引起的电压振铃、EMI噪声增加以及额外的开关损耗，从而允许电源设计者提高开关频率以缩小磁性元件体积，同时保持高效率。
　　MBR2545还具备出色的热稳定性和可靠性。其最高工作结温可达+175°C，远高于许多通用二极管的150°C限制，这意味着在高温环境或瞬态过载情况下仍能安全运行。结合TO-247封装良好的热传导性能（RθJC = 1.5°C/W），该器件可通过外接散热器有效地将热量散发出去，确保长期稳定工作。此外，该器件通过了AEC-Q101认证（适用于汽车级产品变体），并在制造过程中实施了严格的质量控制流程，确保批次一致性与高可靠性。

应用

MBR2545广泛应用于各类需要高效、大电流整流的电力电子系统中。在开关模式电源（SMPS）中，常被用作输出整流二极管，特别是在低压大电流输出的应用场景，如服务器电源、电信整流器和工业电源模块中。由于这些系统通常要求输出电压低于12V甚至低至3.3V或更低，而输出电流高达数十安培，因此使用低VF的肖特基二极管对于减少传导损耗至关重要。MBR2545的45V耐压足以应对常见的12V输出线路中可能出现的瞬态电压波动。
　　在DC-DC转换器中，尤其是非隔离式降压（Buck）变换器中，MBR2545常用作续流二极管（Freewheeling Diode），在主开关管关断期间提供电感电流的回路。由于其零反向恢复特性，可以显著降低开关节点的振铃现象和EMI干扰，同时避免因反向恢复电流导致的额外损耗，有助于提升整体转换效率。
　　此外，该器件也适用于逆变器电路中的钳位和保护功能，以及太阳能微逆变器、UPS不间断电源和电机驱动器中的辅助电源整流环节。在电池充电系统和便携式设备的电源管理单元中，MBR2545还可用于防止反向电流流动，实现极性保护功能。得益于其高可靠性和宽温度范围，该器件同样适用于工业自动化设备、网络通信设备和部分车载电子系统（需确认具体型号是否满足汽车级标准）中的电源模块。