型号：MBR20150CT-1
　　制造商：ON Semiconductor (安森美)
　　器件类型：双肖特基势垒二极管
　　封装类型：TO-220AB
　　配置：共阴极双二极管
　　最大反向重复电压（VRRM）：150V
　　最大直流阻断电压（VR）：150V
　　最大平均整流电流（IO）：20A（每芯片）
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A（@8.3ms单半正弦波）
　　最大正向压降（VF）：0.92V @ 10A, 110°C（每二极管）
　　最大反向漏电流（IR）：1.0mA @ 125°C（典型值）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　热阻（RθJC）：约1.5°C/W（典型）
　　引脚数：3

MBR20150CT-1的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种技术利用金属-半导体结代替传统的P-N结，从根本上消除了少数载流子的存储效应，从而实现了极快的开关速度和极低的反向恢复时间。这一特性使得该器件在高频开关应用中表现尤为出色，能够显著降低开关过程中的能量损耗，提高电源系统的整体转换效率。此外，由于没有明显的反向恢复电荷（Qrr），MBR20150CT-1在开关瞬间不会产生大的反向恢复电流尖峰，这有助于减少电磁干扰（EMI），简化滤波电路设计，并提升系统的电磁兼容性。该器件的正向压降（VF）在大电流条件下依然保持较低水平，典型值在10A电流下约为0.85V至0.92V，远低于普通硅二极管的0.7V以上压降叠加效应，从而大幅降低了导通期间的功率损耗（Ploss = VF × IF），这对于高电流输出的电源模块尤为重要。
　　MBR20150CT-1的共阴极双二极管结构使其非常适合用于全波整流或同步整流拓扑中的续流二极管配置，例如在LLC谐振变换器或Buck/Boost转换器中作为输出整流元件。其高达20A的持续整流电流能力允许在不并联多个器件的情况下满足较大功率需求，简化了PCB布局和热设计。同时，器件具备出色的热稳定性，结温可高达+175°C，确保在高温环境下仍能可靠运行。TO-220AB封装不仅提供了良好的机械强度，还具备较低的热阻，便于通过外接散热器将热量迅速传导至外部环境，延长器件寿命。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于工业级和商业级应用场景。

MBR20150CT-1主要应用于各类中高功率开关电源系统中，特别是在对效率和热性能有较高要求的场合。它常被用作DC-DC转换器中的输出整流二极管，尤其是在低压大电流输出的应用中，如服务器电源、通信设备电源模块、嵌入式电源系统等，能够有效降低输出级的导通损耗，提升整体能效。在离线式AC-DC电源中，该器件可用于次级侧的全波整流电路，替代传统快恢复二极管，以减少整流阶段的能量损失，提高电源效率，满足能源之星或CoC等能效规范要求。此外，在太阳能逆变器、UPS不间断电源、电池充电管理系统中，MBR20150CT-1也常作为防反接或能量回馈路径中的关键元件，利用其低VF和快速响应特性优化系统性能。由于其具备较高的浪涌电流承受能力，该器件在电机驱动、电焊机、LED驱动电源等存在瞬态大电流冲击的环境中也能稳定工作。在工业自动化设备、医疗电源、消费类电子产品电源适配器中，该器件同样具有广泛应用前景，尤其适合空间受限但需高功率密度的设计。

MBR20H150CT
　　STPS20H150CT
　　VS-20CTQ150-M3