最大重复反向电压：120V
　　峰值正向浪涌电流（8.3ms正弦波）：200A
　　直流正向电流（TC=75°C）：20A
　　单芯片上最大元件数量：1
　　反向漏电流（TA=25°C, VR=120V）：≤ 2.0mA
　　正向压降（IF=20A, TJ=25°C）：≤ 0.84V
　　工作结温范围：-65°C 至 +150°C
　　储存温度范围：-65°C 至 +150°C
　　热阻结到外壳：1.8°C/W
　　封装类型：TO-220AC

MBR20120C的核心特性之一是其极低的正向压降，在20A的工作电流下，典型值仅为0.84V，最大不超过0.95V（随结温升高略有上升）。这一特性极大地降低了导通期间的能量损耗，提升了电源系统的整体效率，尤其在高负载条件下效果更为显著。例如，在一个输出电流为15A的DC-DC转换器中使用该二极管作为同步整流替代方案时，相较于传统快恢复二极管，可减少近30%的功率损耗，从而降低散热需求并提高功率密度。
　　其次，该器件具备出色的热性能。其TO-220AC封装设计允许通过外接散热片有效传导热量，热阻结到外壳仅为1.8°C/W，使得即使在持续大电流工作状态下，也能将结温控制在安全范围内。这种良好的热管理能力不仅延长了器件寿命，也增强了系统在高温环境下的稳定性。此外，MBR20120C的反向恢复时间趋近于零，因其基于肖特基势垒原理工作，不存在PN结中的少数载流子存储效应，因此在高频开关应用中不会产生明显的反向恢复电流尖峰，减少了开关噪声和电磁干扰，有利于简化EMI滤波电路设计。
　　另一个重要特性是其高可靠性与鲁棒性。器件经过严格的老化测试和质量控制流程，能够在极端温度循环、高湿度和高电压应力条件下保持稳定性能。其反向漏电流在室温下小于2mA，在125°C高温环境下仍能控制在5mA以内，表现出良好的温度稳定性。尽管肖特基二极管通常存在较高的反向漏电问题，但MBR20120C通过优化金属-半导体界面工艺，有效抑制了漏电流的增长，提升了高温下的可靠性。此外，该器件还具备较强的浪涌电流承受能力，可承受高达200A的瞬态电流冲击，适用于可能出现短时过载或启动浪涌的应用场景，如电机驱动电源或大容量电容充电电路。

MBR20120C广泛应用于多种电力电子系统中，特别是在对效率和热性能要求较高的场合。最常见的应用之一是作为开关模式电源（SMPS）中的输出整流二极管，尤其是在12V或24V输出的AC-DC适配器、工业电源模块和服务器电源中。由于其低VF特性，能够显著降低次级侧的导通损耗，提升整机能效，满足能源之星或CoC Tier 2等能效标准的要求。
　　在DC-DC转换器中，MBR20120C常被用作BUCK或BOOST拓扑中的续流二极管。例如，在非同步BUCK电路中，当主开关管关断时，该二极管提供电感电流的续流通路，其快速响应能力和低正向压降有助于提高转换效率并减少输出电压纹波。此外，在光伏逆变器和UPS系统中，该器件可用于防反接保护和能量回馈路径，防止电池反向放电或电网回馈电流损坏前端电路。
　　在电池充电管理系统中，MBR20120C可用于隔离不同电源路径，实现电源优先级切换或防止倒灌。例如，在双输入（交流适配器+USB）供电的便携设备中，可通过该二极管实现自动电源选择功能。同时，由于其高浪涌电流能力，也适用于电动工具、无人机和电动车充电器等存在大电流冲击的场景。另外，在LED驱动电源、通信基站电源和工业控制设备中，该器件也因其高可靠性和紧凑封装而被广泛采用。

STPS20H100CT
　　SB20120SP
　　MBR20100CT
　　VS-20CPQ120