时间：2025/12/26 9:30:12
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MBR180S1-7是一款由Diodes Incorporated生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用表面贴装SMA封装，具有单个二极管结构。该器件专为高效率、低压降整流应用而设计，广泛应用于开关模式电源、DC-DC转换器、逆变器和极性保护电路中。MBR180S1-7的最大重复反向电压为80V，最大平均整流电流可达1A，正向压降低至0.89V（在1A电流下），使其在能量转换过程中损耗更小，效率更高。其快速恢复特性避免了传统PN结二极管的反向恢复电荷问题，从而减少了开关过程中的功率损耗和电磁干扰。该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性和可靠性，适合在工业控制、消费电子和通信设备等多种环境中使用。
MBR180S1-7的SMA封装便于自动化贴片生产，具有较小的占板面积，适用于空间受限的应用场景。其内部结构采用铂或钛/镍/钒金属与N型硅形成肖特基接触，实现了快速开关响应和较低的结电容。此外，该器件具备较高的浪涌电流承受能力，能够应对瞬态过载情况，提升了系统的安全性和稳定性。工作结温范围为-55°C至+125°C，可在较宽的环境温度下稳定运行。由于其优异的电气性能和紧凑的封装形式，MBR180S1-7成为许多现代电源系统中不可或缺的关键元件之一。
类型：肖特基二极管
配置：单路
最大重复反向电压（VRRM）：80V
最大平均整流电流（IO）：1A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms半正弦波）
最大正向电压（VF）：0.89V @ 1A, 25°C
最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 80V, 25°C；10mA @ 80V, 125°C
反向恢复时间（trr）：典型值5ns
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
封装/外壳：SMA（DO-214AC）
MBR180S1-7的核心优势在于其低正向导通压降与快速开关响应的结合，这使其在高频开关电源中表现尤为出色。在1A工作电流下，其正向压降仅为0.89V左右，显著低于传统硅整流二极管的1.2V以上，因此在导通状态下产生的功率损耗更低，有助于提高整体能效并减少散热需求。这种低VF特性对于电池供电设备尤为重要，因为它可以延长续航时间并提升系统效率。同时，由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间极短，典型值仅为5ns，几乎不会产生反向恢复电流尖峰，有效降低了开关噪声和EMI干扰，提高了系统的电磁兼容性。
该器件还具备良好的热稳定性与可靠性。其最大工作结温可达+125°C，能够在高温环境下持续运行而不发生性能退化。封装采用SMA（DO-214AC）形式，具有较高的机械强度和良好的散热能力，通过PCB焊盘可实现有效热传导。此外，MBR180S1-7通过了多项国际认证，符合IEC 60747-5-5等标准要求，确保产品在各种严苛条件下的长期稳定性。其反向漏电流虽然随着温度升高而增加，但在正常工作范围内仍处于可控水平，不会对大多数应用场景造成影响。值得一提的是，该器件具备高达30A的峰值浪涌电流承受能力，能够在输入端出现瞬态过流时提供一定的保护作用，增强了整个电源系统的鲁棒性。综合来看，MBR180S1-7凭借其高效、可靠、紧凑的设计，成为中小功率电源设计中的理想选择之一。
MBR180S1-7因其优异的电气特性被广泛应用于多种电源和电子系统中。最常见的用途是在开关模式电源（SMPS）中作为输出整流二极管，特别是在反激式（Flyback）、正激式（Forward）和降压（Buck）拓扑结构中，用于将高频交流脉冲转换为稳定的直流电压。由于其低正向压降和快速恢复特性，能显著提升转换效率并减少发热，特别适用于适配器、充电器和小型电源模块等便携式设备电源设计。此外，在DC-DC转换器中，该器件常用于续流（freewheeling）或箝位（clamping）电路，防止电感电流突变引起的电压尖峰，保护主开关器件如MOSFET或IGBT。
在逆变器和UPS系统中，MBR180S1-7可用于桥式整流或反馈路径中的隔离与保护。它也常见于电池管理系统（BMS）中，用于防止反向充电或实现充放电路径控制。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备中，该器件常出现在主板的局部电源轨上，提供高效的电压调节支持。工业控制领域中，其高可靠性和宽温工作能力使其适用于PLC、传感器供电单元和电机驱动电路中的辅助电源部分。此外，由于其SMA封装小巧且易于自动化焊接，非常适合高密度PCB布局和回流焊工艺，满足现代电子产品小型化、轻量化和高集成度的发展趋势。
MBR180T1G
