时间：2025/8/14 4:33:52
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MBR1680DC_R2_00001 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的肖特基势垒整流器（Schottky Barrier Rectifier），广泛用于电源转换和直流电路中。这款器件采用了先进的肖特基二极管技术，具有低正向电压降和快速开关特性，适用于高效率的电源应用。
类型：肖特基二极管
最大正向电流（IF）：16A
峰值反向电压（VRM）：80V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-220AB
安装类型：通孔安装
正向电压降（VF）：约0.45V至0.65V（取决于电流）
反向漏电流（IR）：最大1.0mA（在80V反向电压下）
MBR1680DC_R2_00001 的主要特性之一是其低正向电压降，这使得器件在高电流应用中能够显著降低功率损耗，从而提高整体效率。其正向电压降通常在0.45V至0.65V之间，这比传统二极管的电压降要低，特别是在大电流条件下表现更为出色。
该器件的峰值反向电压为80V，能够承受较高的反向电压应力，适用于多种电源转换器拓扑结构，如DC-DC转换器、同步整流器和电源适配器等。此外，其最大正向电流可达16A，适合高电流负载应用。
另一个关键特性是其快速开关性能。由于肖特基二极管的载流子寿命较短，因此其开关速度非常快，减少了开关过程中的能量损耗。这对于高频开关电源尤为重要，有助于提高电源的开关频率并减小无源元件的尺寸。
MBR1680DC_R2_00001 采用TO-220AB封装，具有良好的散热性能和机械稳定性。其工作温度范围为-55°C至+175°C，适用于严苛的工业和汽车环境。这种封装形式也便于安装在散热器上，以进一步提高散热效果。
此外，该器件的反向漏电流较低，通常不超过1.0mA，即使在高反向电压条件下也能保持较低的漏电流，从而减少不必要的功率损耗和热效应。
MBR1680DC_R2_00001 主要应用于电源转换系统，如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、负载开关、电池充电器和太阳能逆变器等。由于其低正向电压降和快速开关特性，特别适合用于高效率的同步整流电路。
在工业电源系统中，该器件可用于提高电源转换效率，减少散热需求，并延长设备的使用寿命。此外，它也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动车辆的电池管理系统和辅助电源模块。
由于其高可靠性和宽工作温度范围，MBR1680DC_R2_00001 也可用于通信设备、服务器电源、LED照明驱动器和消费类电子产品中的电源模块。
MBR1680DC_R2
