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MBR1680CT 发布时间 时间:2025/8/15 4:06:59 查看 阅读:9

MBR1680CT是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的16位CMOS静态随机存取存储器(SRAM),采用先进的CMOS技术制造,具有低功耗、高速度和高可靠性等特点。该器件主要用于需要高速数据存储和访问的应用场合,例如嵌入式系统、工业控制设备、通信设备以及各种需要高速缓存的电子设备。

参数

容量:8K x 16位
  电源电压:4.5V 至 5.5V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级)
  封装类型:48引脚TSOP(薄型小外形封装)
  访问时间:10ns、12ns、15ns等不同速度等级可选
  输入/输出电平:兼容TTL电平
  功耗:典型值为10mA(待机模式下小于10μA)
  封装材料:塑料
  存储单元类型:CMOS SRAM

特性

MBR1680CT具有多种显著的特性,使其适用于广泛的工业和商业应用。首先,其低功耗设计在待机模式下电流消耗极低,适用于需要节能的系统。其次,该SRAM芯片具备高速访问能力,访问时间最短可达10ns,适用于对性能要求较高的嵌入式系统和缓存应用。此外,该芯片采用工业级温度范围设计,可在-40°C至+85°C的环境下稳定工作,适用于工业控制、自动化设备等苛刻环境。其TSOP封装形式不仅体积小,便于高密度布局,还具有良好的热性能和电气性能,适合在高振动环境中使用。同时,该芯片的TTL电平兼容性使其能够轻松连接多种数字电路,增强了其在多种系统中的通用性。
  MBR1680CT还具有非易失性数据保持能力,在电源关闭的情况下,数据不会丢失,但需要外部电池供电以维持数据保存。这一特性使其在需要长时间保存关键数据的应用中表现优异,如工业控制系统中的参数设置、通信设备的配置信息存储等场景。

应用

MBR1680CT广泛应用于多个领域。在工业自动化方面,它可用于PLC(可编程逻辑控制器)、机器人控制系统和工业计算机中,作为高速缓存或临时数据存储器。在通信设备中,该芯片被用于路由器、交换机、基站控制器等设备的数据缓冲和临时存储。在消费电子领域,MBR1680CT可用于高端游戏机、智能家电和多媒体设备的临时数据存储模块。此外,该芯片也适用于医疗电子设备,如便携式监护仪、超声设备和医疗成像系统的缓存单元。由于其工业级温度适应性和高可靠性,该芯片也常用于航空航天、军事装备等对稳定性要求极高的场景。

替代型号

IS61LV8016-10B4I、CY62167EVLL-48ZS、IDT71V128SA、AS6C6216-55PCN、MB84LV16800A

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