型号：MBR1530CT
　　制造商：ON Semiconductor
　　器件类型：双肖特基势垒二极管
　　封装形式：TO-220AC
　　引脚数：3
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流阻断电压（VR）：30V
　　平均整流电流（Io per diode）：15A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：60A
　　最大正向压降（VF）：850mV（在15A, 125°C条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：1.0mA（在30V, 25°C）；50mA（在30V, 125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　热阻（RθJC）：约0.375°C/W
　　安装方式：通孔（Through Hole）

MBR1530CT的核心优势在于其低正向压降与高电流承载能力的结合，这使得它在高效率电源转换系统中表现卓越。每个二极管在15A电流下的典型正向压降低至0.85V左右，显著减少了导通期间的能量损耗，从而提高了整体电源系统的能效。这种低VF特性得益于其采用的肖特基势垒技术，该技术利用金属-半导体接触形成整流结，避免了传统PN结中的少数载流子存储效应，因而具备极快的开关速度和几乎可以忽略的反向恢复时间。这一特性对于高频开关电源尤为重要，因为它能够有效减少开关过程中的交叉导通损耗和电磁干扰（EMI）。
　　该器件采用共阴极双二极管结构，非常适合用于全波整流或同步整流拓扑中的续流路径设计。例如，在非隔离式降压变换器（Buck Converter）中，其中一个二极管可作为续流二极管使用，另一个可用于辅助电源或反馈回路的整流。TO-220AC封装不仅提供了良好的机械强度，还具备优异的热传导性能，允许器件通过外接散热片将热量迅速传递到环境中，从而支持持续大电流工作。此外，该封装形式易于焊接和安装，广泛兼容自动化生产线。
　　尽管MBR1530CT拥有诸多优点，但肖特基二极管本身存在较高的反向漏电流，尤其是在高温环境下，漏电流会随温度指数增长，可能影响待机功耗和轻载效率。因此，在高温应用场合需特别注意热管理设计。同时，其最大反向耐压仅为30V，限制了其在高压系统中的使用，通常适用于输出电压低于24V的电源系统。总体而言，MBR1530CT是一款性能可靠、性价比高的功率整流器件，广泛应用于通信设备、工业控制、消费电子和汽车电子等领域。

MBR1530CT广泛应用于各类中等电压、大电流的开关电源系统中。常见用途包括AC-DC和DC-DC开关电源的次级整流，特别是在低压输出（如3.3V、5V、12V）的大电流电源模块中，因其低正向压降特性可显著提升转换效率。在服务器电源、台式计算机电源单元（PSU）、路由器和交换机等通信设备电源中，该器件常被用作同步整流的替代方案或辅助整流元件。此外，它也适用于便携式设备充电器、LED驱动电源以及太阳能微逆变器中的功率整流环节。
　　在工业控制系统中，MBR1530CT可用于电机驱动电路中的续流保护，防止电感负载断开时产生的反电动势损坏主控开关器件。其快速响应能力和高浪涌电流承受能力使其能够在频繁启停或突变负载条件下保持稳定运行。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和电池管理系统（BMS）中的整流与保护电路，满足严苛的环境温度和振动要求。
　　由于其共阴极双二极管结构，MBR1530CT也可用于全波整流电路，尤其适用于中心抽头变压器的二次侧整流配置。此外，在UPS不间断电源、逆变器和焊接设备中，该器件凭借其高可靠性和热稳定性，成为关键的功率处理组件。总之，凡是需要高效、紧凑且成本可控的整流解决方案的场合，MBR1530CT都是一个理想选择。

SR1530CT
　　MBR1535CT
　　MBRB1530CT
　　SS1530