时间：2025/6/4 19:04:29
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MBR120ESFT1G 是一款肖特基二极管，由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装形式，具有低正向电压降和快速恢复时间的特点，适用于高效率的电源转换、续流二极管以及各种开关电源应用。其额定电流为 2A，峰值工作电压为 120V，能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
肖特基二极管因其低功耗特性而广泛应用于消费类电子、通信设备、工业控制以及其他需要高效能量转换的场景中。
最大正向电流：2A
峰值反向电压：120V
正向电压降（典型值）：0.53V
反向漏电流（最大值，25℃）：1mA
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-252 (DPAK)
热阻 (Junction to Ambient)：40°C/W
MBR120ESFT1G 的主要特性包括以下几点：
1. 超低正向电压降（VF），有助于降低导通损耗，从而提高整体系统效率。
2. 快速恢复性能，确保在高频开关电路中的稳定运行。
3. 高温适应性，能够在高达 175℃ 的结温下正常工作，适合高温环境下的应用。
4. 符合 RoHS 标准，环保设计。
5. 紧凑型 TO-252 封装，节省 PCB 空间，便于表面贴装工艺（SMD）。
6. 出色的浪涌能力，能承受较大的瞬态电流冲击。
该型号的肖特基二极管 MBR120ESFT1G 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的整流和续流二极管。
2. DC-DC 转换器中的同步整流电路。
3. 太阳能逆变器及电池管理系统中的保护和能量传输。
4. 电机驱动电路中的续流保护。
5. 消费类电子产品中的电源管理模块。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与保护电路。
MBR120HTL-TP, MBR120SLT3G, MBR120VLSFT3G
