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MBR120ESFT1G 发布时间 时间:2025/6/4 19:04:29 查看 阅读:7

MBR120ESFT1G 是一款肖特基二极管,由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装形式,具有低正向电压降和快速恢复时间的特点,适用于高效率的电源转换、续流二极管以及各种开关电源应用。其额定电流为 2A,峰值工作电压为 120V,能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
  肖特基二极管因其低功耗特性而广泛应用于消费类电子、通信设备、工业控制以及其他需要高效能量转换的场景中。

参数

最大正向电流:2A
  峰值反向电压:120V
  正向电压降(典型值):0.53V
  反向漏电流(最大值,25℃):1mA
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-252 (DPAK)
  热阻 (Junction to Ambient):40°C/W

特性

MBR120ESFT1G 的主要特性包括以下几点:
  1. 超低正向电压降(VF),有助于降低导通损耗,从而提高整体系统效率。
  2. 快速恢复性能,确保在高频开关电路中的稳定运行。
  3. 高温适应性,能够在高达 175℃ 的结温下正常工作,适合高温环境下的应用。
  4. 符合 RoHS 标准,环保设计。
  5. 紧凑型 TO-252 封装,节省 PCB 空间,便于表面贴装工艺(SMD)。
  6. 出色的浪涌能力,能承受较大的瞬态电流冲击。

应用

该型号的肖特基二极管 MBR120ESFT1G 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的整流和续流二极管。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流电路。
  3. 太阳能逆变器及电池管理系统中的保护和能量传输。
  4. 电机驱动电路中的续流保护。
  5. 消费类电子产品中的电源管理模块。
  6. 工业自动化设备中的信号隔离与保护电路。

替代型号

MBR120HTL-TP, MBR120SLT3G, MBR120VLSFT3G

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MBR120ESFT1G参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)20V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)530mV @ 1A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电10µA @ 20V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123F
  • 供应商设备封装SOD-123L
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称MBR120ESFT1GOSDKR