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MBR12080CT 发布时间 时间:2025/9/3 11:03:04 查看 阅读:18

MBR12080CT 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极性肖特基整流器,主要用于高频率开关电源、逆变器和整流电路中。该器件采用 TO-220 封装,具有低正向压降和快速恢复时间的特点,适用于要求高效率和高性能的电源转换应用。MBR12080CT 由两个独立的肖特基二极管组成,通常用于全桥或半桥整流电路中。

参数

最大重复峰值反向电压:80V
  最大平均整流电流:12A
  正向压降(@12A):0.45V(典型值)
  峰值浪涌电流:200A
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  封装类型:TO-220
  引脚数量:3
  极性:双共阴极(Common Cathode)

特性

MBR12080CT 的核心特性之一是其低正向压降,这显著减少了导通损耗,提高了整流效率。
  该器件具有较高的浪涌电流承受能力,能够在短暂的电流冲击下保持稳定工作,适用于负载波动较大的应用场景。
  其双共阴极结构允许在整流电路中灵活配置,简化了PCB布局和连接方式。
  TO-220 封装具备良好的热性能和机械稳定性,便于安装散热片以提高散热效率。
  此外,MBR12080CT 的工作温度范围宽广,可在高温环境下稳定运行,适用于工业级和汽车电子等严苛环境。
  该器件无反向恢复时间,减少了高频开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI),非常适合用于高频率电源转换器中。

应用

MBR12080CT 常用于各种电源转换设备中,如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、不间断电源(UPS)、逆变器、充电器和电机驱动系统。
  在汽车电子领域,该器件可用于车载充电系统、DC-AC 逆变器以及电池管理系统。
  由于其高可靠性和良好的热性能,MBR12080CT 也广泛应用于工业自动化、通信设备和太阳能逆变器等对效率和稳定性要求较高的场合。
  此外,该器件还可用于高频率整流电路、电源适配器和LED照明驱动电源等消费类电子产品中。

替代型号

MBR12080CT-W、MBR12080CT-G、SB12080CT、SR12080CT、STPS12H800CT

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MBR12080CT参数

  • 制造商GeneSiC Semiconductor
  • 产品Schottky Diodes
  • 峰值反向电压80 V
  • 正向连续电流120 A
  • 最大浪涌电流800 A
  • 正向电压下降0.88 V
  • 最大反向漏泄电流1 uA
  • 工作温度范围- 40 C to + 175 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体Module
  • 封装Bulk
  • 工厂包装数量25