MBR12080是一款由ON Semiconductor生产的高电流密度、单片式MOSFET阵列,广泛用于需要高效率功率转换的电源系统中。该器件集成了多个MOSFET,具有低导通电阻和高电流能力,适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电源管理等多种应用。MBR12080采用先进的封装技术,提供良好的热性能和电气性能,能够在高负载条件下稳定运行。
器件类型:MOSFET阵列
导通电阻(Rds(on)):典型值为8mΩ(最大值为12mΩ)
漏极电流(Id):120A(最大值)
漏极-源极击穿电压(Vds):80V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装类型:PowerPAK SO-8双片封装
功耗(Pd):2.5W(典型值)
热阻(RθJA):60°C/W(典型值)
MBR12080具备多项优异特性,首先其低导通电阻确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗,提高系统效率。该器件集成了两个N沟道MOSFET,构成同步整流器或半桥结构,有助于减少外部元件数量,简化电路设计。
其次,MBR12080采用先进的PowerPAK SO-8封装,具有良好的散热性能,即使在高功率密度应用中也能保持稳定的工作温度。此外,该封装形式支持表面贴装工艺,适用于自动化生产流程。
该器件具有宽泛的工作温度范围(-55°C至+175°C),适用于各种严苛环境条件下的工业、通信和汽车电子系统。其栅极驱动电压范围为±20V,兼容标准MOSFET驱动器,提高了设计灵活性。
MBR12080还具备高抗冲击和抗振动能力,适合在恶劣环境中使用。其电气特性在宽温度范围内保持稳定,确保长期运行的可靠性。
MBR12080广泛应用于各种功率电子系统,包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统和电源管理模块。在通信设备中,它常用于高效电源模块设计,以满足高密度和高效率的需求。在工业控制系统中,该器件可用于驱动继电器、电磁阀和执行机构。此外,MBR12080也适用于新能源领域,如太阳能逆变器、储能系统和电动汽车的电源管理系统。
SiZ120DT,TNTC12080