时间：2025/9/2 23:14:59
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MBR12080是一款由ON Semiconductor生产的高电流密度、单片式MOSFET阵列，广泛用于需要高效率功率转换的电源系统中。该器件集成了多个MOSFET，具有低导通电阻和高电流能力，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电源管理等多种应用。MBR12080采用先进的封装技术，提供良好的热性能和电气性能，能够在高负载条件下稳定运行。
器件类型：MOSFET阵列
导通电阻（Rds(on)）：典型值为8mΩ（最大值为12mΩ）
漏极电流（Id）：120A（最大值）
漏极-源极击穿电压（Vds）：80V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：PowerPAK SO-8双片封装
功耗（Pd）：2.5W（典型值）
热阻（RθJA）：60°C/W（典型值）
MBR12080具备多项优异特性，首先其低导通电阻确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，提高系统效率。该器件集成了两个N沟道MOSFET，构成同步整流器或半桥结构，有助于减少外部元件数量，简化电路设计。
其次，MBR12080采用先进的PowerPAK SO-8封装，具有良好的散热性能，即使在高功率密度应用中也能保持稳定的工作温度。此外，该封装形式支持表面贴装工艺，适用于自动化生产流程。
该器件具有宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C），适用于各种严苛环境条件下的工业、通信和汽车电子系统。其栅极驱动电压范围为±20V，兼容标准MOSFET驱动器，提高了设计灵活性。
MBR12080还具备高抗冲击和抗振动能力，适合在恶劣环境中使用。其电气特性在宽温度范围内保持稳定，确保长期运行的可靠性。
MBR12080广泛应用于各种功率电子系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统和电源管理模块。在通信设备中，它常用于高效电源模块设计，以满足高密度和高效率的需求。在工业控制系统中，该器件可用于驱动继电器、电磁阀和执行机构。此外，MBR12080也适用于新能源领域，如太阳能逆变器、储能系统和电动汽车的电源管理系统。
SiZ120DT,TNTC12080
