MBR1200 时间：2025/8/15 2:06:56 阅读：6

MBR1200是Microsemi公司生产的一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）驱动器芯片，专为高性能电源转换应用设计。该器件采用了先进的CMOS工艺，具备高速开关能力和较强的驱动输出能力，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和UPS系统等应用场景。MBR1200具有低功耗、宽工作电压范围和良好的抗干扰能力，是一款可靠性高、稳定性强的功率MOSFET驱动芯片。

参数

类型：MOSFET驱动器
　　封装形式：16引脚DIP或SOIC
　　工作电压范围：10V至20V
　　输出驱动电流：±1.5A（典型值）
　　传播延迟时间：约100ns
　　输入逻辑类型：TTL/CMOS兼容
　　工作温度范围：-40°C至+125°C
　　最大输出电压摆幅：与电源电压匹配
　　封装热阻：30°C/W（典型值，DIP封装）

特性

MBR1200具有快速的驱动能力，能够有效减少功率MOSFET在开关过程中的导通和关断损耗，从而提高整体系统的效率。该芯片内置欠压锁定保护（UVLO）功能，当电源电压低于设定阈值时，驱动输出将被禁用，以防止MOSFET在非理想状态下工作，提升系统的稳定性与安全性。此外，MBR1200具备较强的抗干扰能力，能够在高噪声环境下保持稳定的工作性能。其输出端具备防反灌电流设计，有效防止因负载突变或寄生电感引起的反向电流损坏芯片。芯片内部还集成了交叉导通保护机制，确保上下桥臂MOSFET不会同时导通，避免短路风险。此外，MBR1200支持宽输入电压范围，适用于多种电源拓扑结构，如半桥、全桥和推挽式变换器。