MBR10H150DC_R2_00001 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的肖特基势垒整流器(Schottky Barrier Rectifier),采用双共阴极(Dual Common Cathode)配置,适用于高效率电源转换应用。该器件的最大额定电流为10A,最大反向电压为150V,适合用于高频率开关电源、DC-DC转换器以及电池充电系统。
最大平均整流电流:10A
峰值反向电压:150V
正向电压降:约0.42V @ 10A
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:D2PAK(表面贴装)
配置:双共阴极
MBR10H150DC_R2_00001具有极低的正向电压降,这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。由于其肖特基二极管的特性,该器件在高频应用中表现出色,开关损耗低,响应速度快。此外,其高浪涌电流能力和良好的热稳定性使其适用于严苛的工作环境。该器件采用D2PAK封装,具有良好的散热性能和机械稳定性,便于自动化装配和表面贴装工艺。
在材料和制造工艺方面,MBR10H150DC_R2_00001采用了安森美半导体的先进工艺技术,确保了器件的可靠性和长期稳定性。其内部结构设计优化了电流分布,减少了热阻,从而提高了器件在高负载条件下的性能。此外,该器件符合RoHS标准,支持绿色环保的应用需求。
该器件广泛应用于各类电源系统,包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电池管理系统、电信设备电源、工业自动化设备以及新能源系统(如太阳能逆变器和储能系统)。由于其高频特性和低损耗,也常用于功率因数校正(PFC)电路和同步整流拓扑中。此外,MBR10H150DC_R2_00001还适用于需要高效能和高可靠性的车载电子系统,如车载充电器和电源模块。
MBR10H150CG, MBR10150CT, SB10150CT