型号：MBR1090CT
　　类型：双肖特基势垒二极管
　　封装：TO-220AB
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：90V
　　最大直流阻断电压（VR）：90V
　　最大有效值电压（VRMS）：63V
　　最大平均整流电流（IO per diode）：10A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：200A
　　正向压降（VF）：典型值0.875V（在TA=25°C, IF=10A条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：1.0mA（在90V, TA=25°C下）；随温度升高而增大
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　热阻（RθJC）：约2.0°C/W
　　引脚数：3（双二极管共源或独立连接）

MBR1090CT的核心优势在于其采用肖特基势垒技术实现的低正向压降和超快开关速度。这种二极管利用金属-半导体接触形成整流特性，而非传统PN结，因此不存在少数载流子的注入与复合过程，从根本上消除了反向恢复电荷（Qrr）和相关的能量损耗。这一特性使得器件在高频开关应用中表现出色，例如在同步整流拓扑中作为副边整流管使用时，即使在数百kHz甚至MHz级的工作频率下也能保持高效率。同时，由于VF较低（典型值约为0.875V @ 10A），在大电流条件下产生的导通损耗远低于标准硅二极管，有助于提升整体电源效率并减少散热设计负担。
　　该器件的双二极管结构提供了极大的电路设计灵活性。它可以被配置为全波整流桥的一部分、用于双路DC-DC变换器中的独立续流路径，或者在交错式拓扑中平衡电流分布。每个二极管均可独立工作，额定平均整流电流达10A，在良好散热条件下可持续运行。此外，MBR1090CT具备高达200A的峰值非重复浪涌电流承受能力，能够在电源启动或负载突变期间抵御瞬态电流冲击，提升了系统的鲁棒性。
　　热管理方面，TO-220AB封装具备较低的结到壳热阻（约2.0°C/W），配合外部散热片可有效将热量传导至环境，确保长时间稳定运行。器件支持宽泛的工作结温范围（-65°C ~ +175°C），适应严苛工业环境下的应用需求。尽管肖特基二极管在高温下反向漏电流会有所上升，但MBR1090CT通过优化工艺控制将该参数限制在合理范围内，确保在正常工况下仍具备可靠性能。总体而言，这款器件结合了高性能、高可靠性和紧凑封装，是中等功率电源系统中的理想选择。

MBR1090CT常用于各类中高功率开关模式电源（SMPS）中，特别是在输出电压较低而电流较大的场合，如计算机主板供电、服务器电源、电信设备电源模块以及工业控制电源单元。其低VF特性特别适用于5V、3.3V或更低电压输出的二次侧整流电路，能显著减少功率损耗并提升转换效率。在DC-DC降压变换器中，它常被用作续流二极管（freewheeling diode），在主开关管关断期间提供电感电流回路，防止电压反冲损坏主控芯片。
　　此外，该器件也广泛应用于AC-DC适配器、充电器（如笔记本电脑、电动工具充电器）、LED驱动电源以及太阳能逆变器等产品中，作为整流或钳位元件使用。由于其快速响应能力和无反向恢复特性，非常适合搭配MOSFET等高速开关器件协同工作，避免因反向恢复电流引起的交叉导通风险和EMI噪声问题。
　　在电机驱动和逆变器系统中，MBR1090CT可用于感应电动势释放回路，保护IGBT或MOSFET免受反向电压冲击。其高浪涌电流能力也使其适用于存在频繁启停或负载突变的工业环境中。另外，在不间断电源（UPS）和备用电源系统中，该器件可承担电池充放电管理电路中的隔离功能，确保能量流向可控且高效。总之，凡是在需要高效、快速、可靠的整流解决方案的电子系统中，MBR1090CT都是一个极具竞争力的选择。

SR1090CT
　　MBR10H90CT
　　STPS10H90CT
　　B340LB-13-F
　　VS-10SQ090FN