MBR1060CTL 时间：2025/12/26 22:53:41 阅读：13

MBR1060CTL是一款由ON Semiconductor生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Rectifier），采用表面贴装TO-277A（D2PAK）封装，具有紧凑的尺寸和良好的热性能，适用于高密度电源设计。该器件内部集成了两个独立的60V、5A肖特基二极管，可配置为共阴极双二极管结构，常用于低压直流输出整流、反向阻断和续流应用。由于其低正向压降（VF）特性，MBR1060CTL能够显著降低导通损耗，提升整体电源效率。该器件符合RoHS环保标准，并具备无铅（Pb-free）和绿色材料构成，适用于消费电子、工业电源、适配器、开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器等广泛应用场景。其高电流能力与低功耗特性使其在便携式设备和高能效电源系统中表现出色。此外，TO-277A封装支持自动化贴片工艺，有利于大规模生产中的可靠性与一致性控制。

参数

类型：肖特基二极管
　　配置：双共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：60V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：10A（每芯片5A x 2）
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A（8.3ms单半波）
　　最大正向压降（VF）：840mV @ 5A, TJ=125°C
　　最大反向漏电流（IR）：1.0mA @ 60V, TJ=125°C
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　热阻（RθJC）：2.5°C/W
　　封装：TO-277A（D2PAK）
　　安装类型：表面贴装

特性

MBR1060CTL的核心特性之一是其低正向压降性能，在典型工作条件下（5A电流、结温125°C），其正向压降仅为840mV，显著低于传统快恢复二极管甚至部分同类肖特基器件。这一特性直接减少了导通期间的能量损耗，提高了电源系统的整体效率，尤其在低输出电压、大电流的DC-DC转换器中优势明显。此外，由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此具有极快的开关速度和几乎为零的反向恢复时间（trr），这有效抑制了开关过程中因反向恢复电荷引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提升了系统的稳定性与可靠性。该器件采用先进的平面工艺制造，确保了良好的均匀性和长期稳定性。
　　另一个重要特性是其优异的热性能。MBR1060CTL采用TO-277A封装，该封装具有较大的裸露焊盘（exposed pad），可通过PCB上的热过孔将热量高效传导至散热层，实现良好的热管理。其热阻RθJC仅为2.5°C/W，意味着在满载工作时能够更有效地将内部热量散发出去，从而延长器件寿命并允许更高的持续工作电流。此外，器件的工作结温范围宽达-65°C至+175°C，适应严苛的工业和汽车级环境要求。其反向漏电流在高温下仍保持较低水平（1.0mA @ 60V, 125°C），避免了高温环境下功耗急剧上升的问题。整体设计兼顾了电气性能、热稳定性和机械可靠性，适合高功率密度应用。

应用

MBR1060CTL广泛应用于各类需要高效、低压整流的电源系统中。在开关模式电源（SMPS）中，它常被用作次级侧同步整流的替代或辅助二极管，特别是在无法使用MOSFET同步整流的低成本设计中，其低VF特性可显著提升效率。在DC-DC转换器模块中，尤其是降压（Buck）拓扑的续流路径中，MBR1060CTL作为续流二极管，利用其快速响应和低损耗特性减少能量浪费，提高转换效率。此外，该器件也适用于AC-DC适配器、笔记本电脑电源、LED驱动电源和充电器等消费类电子产品，满足对小型化和高能效的需求。
　　在工业控制系统中，MBR1060CTL可用于电机驱动电路中的箝位或保护二极管，防止感性负载产生的反电动势损坏主控器件。其高浪涌电流承受能力（150A）使其在瞬态负载变化或启动冲击下仍能可靠工作。同时，该器件也适用于太阳能逆变器、UPS不间断电源和电信电源系统中的整流与隔离功能。由于其表面贴装封装形式，非常适合自动化生产线，有助于提升制造效率和产品一致性。在汽车电子领域，虽然非AEC-Q101认证器件需谨慎选用，但在某些车载辅助电源或非关键系统中，MBR1060CTL也可作为高效整流元件使用。总体而言，其应用覆盖了从消费到工业的多种中等功率电源场景。