MBR1050FCT 时间：2025/8/15 2:10:18 阅读：11

MBR1050FCT是一款由ON Semiconductor生产的肖特基势垒整流器（Schottky Barrier Rectifier），采用双共阴极封装设计。该器件适用于需要高效能和低正向压降的电源整流应用，具备较高的电流处理能力和较低的开关损耗，适合用于AC/DC和DC/DC转换器中。

参数

最大重复峰值反向电压（VRRM）：50V
　　最大平均整流电流（IO）：10A
　　正向压降（VF）：0.53V（典型值）
　　反向漏电流（IR）：20μA（最大值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-65°C至+150°C

特性

MBR1050FCT的主要特性之一是其低正向压降，这使得它在高电流应用中具有较高的效率，减少了能量损耗和发热。此外，该器件具有快速开关能力，适合用于高频整流应用。双共阴极封装设计使得它能够在一个封装中提供两个独立的整流器，从而简化了电路设计并减少了PCB空间占用。MBR1050FCT还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适用于恶劣工作条件下的电源系统。
　　该器件采用先进的肖特基势垒技术，具有较低的结电容和快速恢复时间，从而减少了高频下的开关损耗。封装方面，MBR1050FCT通常采用TO-220或D2PAK等功率封装形式，具备良好的散热性能，能够有效将热量传导至散热片或PCB上。此外，MBR1050FCT的高可靠性使其广泛应用于工业电源、电池充电器、DC/DC转换器以及电信设备等高要求领域。

应用

MBR1050FCT适用于多种电源相关应用，如AC/DC电源适配器、DC/DC转换器、电池充电系统、电信电源模块以及分布式电源系统。它也常用于需要高效率整流的场合，例如太阳能逆变器、LED照明驱动器以及工业控制系统的电源部分。由于其低正向压降和高电流能力，该器件特别适合用于需要提高能效和降低热量的高功率密度设计中。