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MBR10200FAT_T0_00001 发布时间 时间:2025/8/14 4:54:26 查看 阅读:24

MBR10200FAT_T0_00001是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的肖特基势垒整流器(Schottky Barrier Rectifier),主要用于高效能的电源转换系统中。该器件具备高电流承载能力与低正向压降的特点,适用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器、电池充电器等应用。该型号采用TO-220封装,具备良好的散热性能,能够在高温环境下稳定工作。

参数

最大重复峰值反向电压(VRRM):200 V
  最大平均整流电流(IF(AV)):10 A
  正向压降(VF):0.65 V(典型值)
  最大反向漏电流(IR):0.1 mA(@ 200 V)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  存储温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-220

特性

MBR10200FAT_T0_00001具有多个关键特性,使其在电源转换系统中表现出色。首先,其低正向压降(典型值为0.65 V)显著降低了导通损耗,从而提高了整体能效。这在高电流应用中尤为重要,因为较低的压降意味着更少的热量产生和更高的系统效率。其次,该器件的最大重复峰值反向电压为200 V,使其适用于多种中高压电源应用,如工业电源、UPS系统和光伏逆变器等。
  该整流器的最大平均整流电流为10 A,能够承受较大的负载电流,适合用于高功率密度的设计中。此外,MBR10200FAT_T0_00001采用了肖特基势垒结构,具有极快的开关特性,几乎无反向恢复时间(trr),这使得它在高频开关应用中表现优异,减少了开关损耗并提高了系统响应速度。
  该器件的工作温度范围广泛,从-55°C到+175°C,能够在极端环境条件下稳定运行,适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。此外,其TO-220封装不仅提供了良好的散热性能,还便于安装在散热片上,进一步增强了热管理能力。
  MBR10200FAT_T0_00001还具备较低的反向漏电流(最大为0.1 mA @ 200 V),即使在高反向电压下也能保持较低的损耗,从而提高系统的稳定性。此外,该器件符合RoHS环保标准,适合用于现代绿色电子产品设计。

应用

MBR10200FAT_T0_00001广泛应用于各类电源系统和电路中。例如,在开关电源(SMPS)中,该器件用于整流电路,将交流电转换为直流电,并在高频率下工作,以提高效率。在DC-DC转换器中,它用于同步整流或作为输出整流器,帮助实现更高的转换效率。在电池充电器中,该器件用于处理高电流和中高压的输入电源,确保充电过程稳定可靠。
  该整流器也常用于逆变器系统中,如太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统,用于将直流电转换为交流电,并在高功率环境下提供稳定的性能。此外,它还可用于电机驱动器、工业自动化设备、通信电源和车载充电系统等应用。
  由于其良好的高温性能和可靠的封装设计,MBR10200FAT_T0_00001也适用于汽车电子系统,如电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的车载充电器、DC-DC转换器以及电池管理系统。在这些应用中,其低正向压降和高电流能力有助于提升整车的能效和续航能力。

替代型号

SR10200C, MBR10200, MBRS10200

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