型号：MBR10200CTF-G1
　　制造商：ON Semiconductor
　　器件类型：肖特基势垒二极管（中心抽头）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V
　　最大直流阻断电压（VR）：200V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：10A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A（@8.3ms半正弦波）
　　最大正向电压降（VF）：0.90V @ 10A, TJ=125°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 125°C, VR=200V
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　封装/包装：TO-277（D-Pak双引脚表面贴装）
　　安装类型：表面贴装
　　引脚数：3
　　是否符合RoHS标准：是

MBR10200CTF-G1的核心优势在于其采用先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降与高效的能量转换性能。这种结构通过金属-半导体结代替传统的PN结，显著减少了载流子复合带来的能量损耗，从而降低了器件在大电流工作条件下的功耗和温升。在典型工作条件下，其正向电压仅为0.90V @ 10A（TJ=125°C），这不仅提升了系统整体效率，还减少了对散热系统的依赖，有助于缩小电源模块的整体尺寸。此外，由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此具备极快的反向恢复速度，几乎无反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），有效抑制了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高了电源系统的稳定性和可靠性。
　　该器件的中心抽头（Center-Tapped）拓扑结构特别适合全波整流电路，仅需单个封装即可替代两个独立的二极管，简化了PCB布局布线，减少了焊接点数量，提升了生产良率和长期运行的可靠性。TO-277封装具有优良的热传导性能，底部暴露焊盘可直接连接至PCB的地层或散热区域，实现高效散热，确保在高负载持续工作下仍能维持较低的结温。同时，该封装支持自动化贴片工艺，适用于大规模SMT生产线，满足现代电子产品对高密度、高效率制造的需求。
　　MBR10200CTF-G1具备出色的温度稳定性，在宽温度范围内（-65°C至+175°C）均能保持稳定的电气性能。即使在高温环境（如125°C）下，其反向漏电流也控制在0.5mA以内，避免了因漏电增大而导致的热失控风险。器件经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）和温度循环试验，确保在恶劣工业环境下的长期耐用性。此外，产品无卤素且符合RoHS指令要求，适用于对环保有严格要求的应用场景。

MBR10200CTF-G1广泛用于各类需要高效整流和低损耗功率转换的电力电子系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），尤其是在AC-DC和DC-DC转换器的输出整流级，利用其中心抽头结构实现全波整流，提高转换效率并减少元件数量。在电信基础设施设备（如基站电源、路由器电源模块）中，该器件能够提供稳定可靠的直流输出，支持高密度集成设计。工业电源系统，例如PLC、伺服驱动器和UPS不间断电源，也大量采用该型号以提升能效和系统稳定性。
　　在新能源领域，MBR10200CTF-G1被用于太阳能微型逆变器和储能系统的功率回路中，作为续流或防反二极管使用，其低VF特性有助于最大限度回收能量，提升能源利用率。在电动汽车相关应用中，如车载充电机（OBC）和DC-DC转换模块，该器件可在有限空间内实现高效散热和高功率密度设计。此外，它还可用于电机驱动电路中的续流保护，防止感性负载关断时产生的反电动势损坏主控开关器件（如MOSFET或IGBT）。
　　由于其表面贴装封装特性，该器件非常适合自动化生产和小型化设计，常见于服务器电源、LED驱动电源、笔记本适配器等消费类与商用电源产品中。对于需要高可靠性和长寿命的医疗电源或测试测量仪器，MBR10200CTF-G1同样是一个优选方案。其综合性能使其成为现代高效节能电源设计中不可或缺的关键元器件之一。

STPS10H200CT
　　MBR10200CT