时间:2025/12/27 7:56:32
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MBR10200CL是一款由ON Semiconductor(安森美)生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用双共阴极配置,专为高效率、低压降应用设计。该器件额定平均整流电流为10A,最大反向重复电压为200V,适用于需要高电流密度和低功耗的电源转换系统。MBR10200CL采用TO-277或等效的三引脚表面贴装封装(D-Pak),具有良好的热性能和机械稳定性,适合自动化装配流程。其主要优势在于低正向压降(VF)和快速开关特性,无需反向恢复时间,因此在高频开关电源中可显著降低开关损耗,提升整体效率。该器件广泛用于AC-DC和DC-DC转换器、续流与箝位电路、极性保护以及反向阻塞应用中。由于其高能效表现,MBR10200CL常被用于消费电子、工业电源、电信设备及绿色能源系统中。
该二极管符合RoHS环保标准,并具备可靠的抗浪涌能力,能够承受高达30A的峰值非重复浪涌电流。其热设计允许在适当的PCB布局下实现有效散热,从而确保长时间运行的稳定性。此外,MBR10200CL的工作结温范围为-65°C至+175°C,适应严苛的环境条件,是高温环境下高可靠性电源设计的理想选择。
类型:肖特基势垒二极管
配置:双共阴极
封装/外壳:TO-277(D-Pak)
安装类型:表面贴装
最大反向重复电压(VRRM):200V
最大直流阻断电压(VR):200V
平均整流电流(IF(AV)):10A
峰值正向浪涌电流(IFSM):30A(单半波,60Hz)
最大正向压降(VF):0.88V @ 10A, TJ=110°C
最大反向漏电流(IR):400μA @ 200V, TJ=25°C;2.0mA @ 200V, TJ=125°C
工作结温范围:-65°C 至 +175°C
热阻(RθJC):约2.5°C/W
引脚数:3
MBR10200CL的核心特性之一是其低正向压降设计,在典型工作条件下(10A,结温110°C时),正向压降仅为0.88V,显著低于传统快恢复二极管甚至部分同类肖特基器件。这一特性直接降低了导通损耗,提高了电源系统的整体能效。例如,在一个12V输出的同步整流电源中,使用MBR10200CL可比使用普通二极管节省近1W的功耗,对于追求高能效的应用如80 PLUS认证电源至关重要。此外,由于其肖特基结构基于金属-半导体结而非PN结,不存在少数载流子存储效应,因此具有极快的开关速度和零反向恢复电荷(Qrr ≈ 0)。这使得它在高频DC-DC变换器中不会产生额外的开关尖峰和电磁干扰,有助于简化EMI滤波设计并提升系统稳定性。
该器件采用双共阴极配置,即两个独立的肖特基二极管共享一个阴极引脚,这种结构特别适用于双路输出或中心抽头变压器整流电路中,可以减少元件数量和PCB占用面积。同时,其表面贴装TO-277封装支持自动回流焊工艺,适合大规模生产。封装底部带有散热焊盘,可通过PCB上的热过孔将热量有效传导至内层或底层,实现良好的热管理。在满载10A电流下,若PCB散热设计合理,结温可控制在安全范围内。此外,MBR10200CL具备出色的热稳定性和长期可靠性,在高温环境(如工业控制柜或封闭式电源模块)中仍能保持稳定的电气性能。其宽泛的工作温度范围(-65°C至+175°C)使其适用于极端气候条件下的户外设备或车载电源系统。器件还通过了AEC-Q101汽车级可靠性测试,表明其具备一定的车规应用潜力。最后,低漏电流特性(室温下仅400μA)减少了待机模式下的静态损耗,有利于低功耗待机电源的设计。
MBR10200CL广泛应用于各类中高功率开关电源系统中,尤其是在需要高效整流和低电压损耗的场合。典型应用包括AC-DC开关模式电源(SMPS)中的次级侧整流,特别是在笔记本适配器、LCD电视电源、游戏机电源等消费类电子产品中,其低VF特性有助于满足日益严格的能效标准。在DC-DC降压或升压转换器中,该器件常作为续流二极管使用,防止电感电流突变导致电压反冲,保护主开关器件。由于其快速响应能力,也可用于高频隔离式电源(如LLC谐振转换器)中的同步整流替代方案,尽管不能完全取代MOSFET,但在成本敏感型设计中仍具优势。
在工业领域,MBR10200CL可用于PLC电源模块、电机驱动器辅助电源、LED驱动电源等设备中,提供稳定可靠的整流功能。在通信基础设施中,如基站电源、路由器和交换机的内部供电单元,该器件有助于提升系统效率并降低散热需求。此外,其高浪涌承受能力和温度稳定性也使其适用于太阳能微逆变器或储能系统的旁路与保护电路。在汽车电子中,虽然主要面向工业级应用,但其AEC-Q101认证背景使其可用于车载充电器(OBC)、DC-DC转换模块等非主驱系统中。总之,任何需要200V耐压、10A级电流处理能力且注重效率与可靠性的电源拓扑均可考虑采用MBR10200CL作为关键整流元件。
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