时间：2025/10/27 16:39:27
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MBR1020是一款由ON Semiconductor生产的肖特基势垒二极管，采用双共阴极配置，专为高效率、低损耗的电源整流应用而设计。该器件具有10A的额定平均正向整流电流和20V的最大反向重复峰值电压，适用于低压大电流的应用场景。MBR1020因其低正向压降和快速开关特性，在开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器以及续流和极性保护电路中被广泛使用。其封装形式为TO-220AC，具备良好的热传导性能，适合在高功率密度环境下工作。该器件符合RoHS标准，无铅且环保，适用于现代绿色电子产品设计。MBR1020的工作结温范围为-65°C至+175°C，表现出优异的热稳定性，能够在严苛的工业和消费类环境中可靠运行。由于其结构为共阴极双二极管，因此特别适用于中心抽头变压器的全波整流电路，例如在笔记本电脑适配器、通信电源模块等设备中常见。此外，该器件具有较低的反向恢复电荷，几乎无反向恢复时间，从而显著降低开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提高系统整体效率。
型号：MBR1020
封装类型：TO-220AC
最大重复反向电压（VRRM）：20V
平均正向整流电流（IF(AV)）：10A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：100A
最大正向压降（VF）：0.84V @ 10A, TJ=125°C
最大反向漏电流（IR）：0.1mA @ 20V, TJ=25°C
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
储存温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
热阻结到外壳（RθJC）：3.0°C/W
引脚数：3
配置：双共阴极
MBR1020的核心优势在于其采用肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降与超快的开关响应速度。在典型工作条件下，当通过10A电流且结温为125°C时，其正向压降仅为0.84V，远低于传统PN结二极管，这大大减少了导通状态下的功率损耗，提升了电源系统的整体能效。这一特性对于需要长时间运行或对能效要求较高的应用尤为重要，如服务器电源、电信设备和便携式充电装置。此外，由于肖特基二极管是多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间几乎可以忽略不计，反向恢复电荷（Qrr）极低，有效抑制了开关瞬态过程中的电压尖峰和电磁干扰，提高了系统的稳定性和可靠性。
该器件采用双共阴极结构，内部集成两个独立但共享阴极的肖特基二极管，这种设计非常适合用于中心抽头变压器的全波整流拓扑，能够简化外围电路布局，减少元件数量，提升功率密度。TO-220AC封装不仅提供了良好的机械强度，还具备出色的散热能力，热阻结到外壳仅为3.0°C/W，确保在高负载条件下热量能够迅速传导至散热器，避免因过热导致性能下降或器件损坏。此外，MBR1020具有高达100A的峰值浪涌电流承受能力，能够在短时间内应对突发的大电流冲击，增强了系统的鲁棒性。
在环境适应性方面，MBR1020支持宽泛的结温工作范围（-65°C至+175°C），使其能够在极端高低温环境下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子辅助电源等复杂工况。器件符合RoHS指令，不含铅、镉等有害物质，满足现代电子产品对环保的严格要求。同时，其高可靠性经过严格测试验证，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）等可靠性试验，确保长期使用的稳定性。总体而言，MBR1020凭借其高效、快速、可靠的特性，成为低压大电流整流应用中的理想选择。
MBR1020广泛应用于各类需要高效低压整流的电源系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），特别是在输出电压较低（如5V、3.3V、1.8V）且输出电流较大的场合，利用其低正向压降特性可显著提升转换效率。在直流-直流转换器中，常作为同步整流的替代方案或用于续流二极管，减少能量损耗。该器件也常见于笔记本电脑、打印机、显示器等消费类电子产品的外置电源适配器中，配合中心抽头变压器实现全波整流。在通信设备电源模块、服务器电源单元以及工业控制系统中，MBR1020用于次级侧整流，提供稳定高效的直流输出。此外，还可用于电池充电电路、逆变器、UPS不间断电源系统中的续流与箝位功能，以及电机驱动电路中的反电动势保护。由于其快速响应和低噪声特性，也适用于对电磁兼容性要求较高的精密仪器电源部分。
SR10U20, MBR1020CT, SB1020, STPS10H100CT, B340LB
