时间：2025/12/26 12:42:29
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MBR10150CT-G1是一款由ON Semiconductor生产的双肖特基势垒整流二极管，专为高效率电源转换应用而设计。该器件采用TO-220AB封装，内部集成了两个150V额定电压、5A额定电流的肖特基二极管，通常配置为共阴极结构，适用于需要低正向压降和快速开关特性的电路中。MBR10150CT-G1广泛应用于开关模式电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器、续流与箝位电路等场合。由于其肖特基势垒结构，该器件在导通时具有较低的正向压降（VF），显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统效率。此外，该器件无反向恢复时间（trr）或反向恢复电荷（Qrr）极小，避免了传统PN结二极管在高频开关过程中产生的开关损耗和电磁干扰问题，使其特别适合高频工作环境。
MBR10150CT-G1的工作结温范围为-65°C至+175°C，具备良好的热稳定性和可靠性。器件符合RoHS标准，属于绿色环保产品，并通过了相关工业级认证，适用于工业控制、消费电子、通信电源等多种应用场景。其TO-220AB封装形式便于安装在散热片上，有助于高效散热，进一步提升器件在高负载条件下的长期运行稳定性。
类型：双肖特基二极管
配置：共阴极
最大重复反向电压（VRRM）：150V
平均整流电流（IF(AV)）：10A（基于双管总和，每管5A）
每芯片正向连续电流（IF）：5A
峰值浪涌电流（IFSM）：150A（8.3ms单半正弦波）
最大正向压降（VF）：880mV（典型值，@ IF = 5A, TJ = 25°C）
最大反向漏电流（IR）：1.0mA（@ VR = 150V, TJ = 25°C），随温度升高而增加
反向恢复时间（trr）：接近0（肖特基特性）
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
封装类型：TO-220AB
安装方式：通孔（Through-Hole）
散热路径：通过封装底部金属片导热至散热器
MBR10150CT-G1的核心特性源于其先进的肖特基势垒技术与优化的封装设计。首先，该器件具备极低的正向导通压降，在5A电流下典型值仅为880mV，显著低于传统硅PN二极管的1.2V以上水平。这一特性直接减少了导通状态下的功率损耗（P = VF × IF），提升了电源系统的整体能效，尤其在大电流输出场景中优势更为明显。其次，作为肖特基二极管，它没有少数载流子存储效应，因此不存在反向恢复时间（trr ≈ 0）和反向恢复电荷（Qrr极小），这使得其在高频开关电路中不会产生额外的开关损耗和电压尖峰，有效抑制了电磁干扰（EMI），提高了系统的可靠性和稳定性。
该器件采用双管共阴极结构，非常适合用于全波整流或双路同步整流拓扑中，例如在LLC谐振转换器或Buck/Boost变换器中作为次级侧整流元件。其TO-220AB封装具有良好的机械强度和热传导性能，底部大面积铜片可直接贴合散热器，实现高效的热量耗散。在实际应用中，即使在高温环境下，器件仍能保持稳定的电气性能。此外，MBR10150CT-G1具有较高的浪涌电流承受能力（IFSM = 150A），能够应对电源启动或负载突变时的瞬态过流冲击，增强了系统的鲁棒性。器件还具备良好的温度稳定性，反向漏电流虽随结温上升而增加，但在正常工作范围内仍处于可控水平。综合来看，MBR10150CT-G1在效率、热性能和可靠性方面表现出色，是中等功率高效率电源设计中的理想选择。
MBR10150CT-G1因其优异的电气特性和封装优势，被广泛应用于多种中高效率电源系统中。在开关模式电源（SMPS）中，常用于输出整流级，特别是在150W以下的适配器、充电器和工业电源模块中，作为次级侧整流元件以替代快恢复二极管，从而提高转换效率并降低温升。在直流-直流转换器拓扑中，如同步Buck、Boost或Flyback电路中，该器件可用作续流二极管或箝位二极管，利用其零反向恢复特性减少开关节点的电压振荡和能量损耗。
此外，MBR10150CT-G1也适用于光伏逆变器中的旁路保护电路，防止热斑效应导致的功率损失；在UPS不间断电源和逆变电源中，用于AC-DC或DC-AC转换环节的整流部分。由于其双二极管共阴极结构，还可用于全波中心抽头变压器整流电路，简化PCB布局并提升功率密度。在电机驱动和工业控制系统中，该器件可用于感性负载的续流路径，保护主开关器件免受反电动势损坏。消费类电子产品如电视、显示器电源板也常采用此类器件以满足节能标准。总体而言，凡是对效率、散热和高频性能有较高要求的应用场景，MBR10150CT-G1均能提供可靠的解决方案。
MBR10150CT
STPS10H150CT
VS-10F150S-E3
FDL10H150
MUR10150CT
